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1. (WO2002082548) CONDENSATEUR INTEGRE ACCORDABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082548    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/001206
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 03.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.10.2002    
CIB :
H01L 27/08 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
MAGET, Judith [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TIEBOUT, Marc [BE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MAGET, Judith; (DE).
TIEBOUT, Marc; (DE)
Mandataire : EPPING, HERMANN & FISCHER; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
101 16 557.9 03.04.2001 DE
Titre (DE) INTEGRIERTE, ABSTIMMBARE KAPAZITÄT
(EN) INTEGRATED TUNEABLE CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR INTEGRE ACCORDABLE
Abrégé : front page image
(DE)Es ist eine integrierte, abstimmbare Kapazität angegeben mit einem Halbleitergebiet (2), welches bevorzugt N-dotiert ist, gebildet in einem Halbleiterkörper (1), mit einem isolierenden Dickoxid-Gebiet (4), welches an die Hauptseite (3) des Halbleiterkörpers flächig angrenzt und mit einem Dünnoxid-Gebiet (5), welches ebenfalls an die Hauptseite (3) angrenzt und über dem Halbleitergebiet (2) angeordnet ist sowie eine geringere Schichtdicke als das Dickoxid-Gebiet (4) hat. Auf dem Dünnoxid-Gebiet (5) ist eine Gate-Elektrode (6) vorgesehen und im Halbleitergebiet (2) Anschlußgebiete (7). Gegenüber Transistor-Varaktoren weist die beschriebene Kapazität einen größeren Abstimmbereich auf. Die integrierte, abstimmbare Kapazität ist beispielsweise in LC-Oszillatoren von integrierten VCOs einsetzbar.
(EN)Disclosed is an integrated tuneable capacitor provided with a semiconductor area (2) which is preferably N-doped and formed in a semiconductor body (1); an insulating thick oxide area (4) whose surface borders on the main side (3) of the semiconductor body (2); and a thin oxide area (5) which is also adjacent to the main side (3) and which is arranged on the above the semiconductor area (2) in addition to having a lower layer thickness than the thick oxide area (4). A gate electrode (6) is placed on the thin oxide area (5) and connection areas (7) are provided in the semiconductor area (2). The inventive capacitor has a greater tuning range in comparison with transistor varactors. The integrated tuneable capacitor can be used, for instance, in LC oscillators in integrated VCOs.
(FR)L'invention concerne un condensateur intégré accordable, présentant une zone semiconductrice (2), de préférence dopée N, formée dans un corps semiconducteur (1), une zone d'oxyde épais (4), dont la surface est adjacente au côté principal (3) du corps semiconducteur, et une zone d'oxyde de grille (5) également adjacente au côté principal (3), placée au-dessus de la zone semiconductrice (2) et présentant une épaisseur de couche inférieure à la zone d'oxyde épais (4). Une électrode de grille (6) est placée sur la zone d'oxyde de grille (5) et des zones de connexion (7) sont situées dans la zone semiconductrice (2). Par rapport aux transistors-varactors, le condensation selon l'invention présente une plus grande gamme d'accord. Ce condensateur intégré accordable peut s'utiliser par exemple dans des oscillateurs LC de VCO intégrés.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)