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1. (WO2002082542) DISPOSITIF DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082542    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002876
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 02.04.2001
CIB :
H01L 25/16 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 (JP) (Tous Sauf US).
ISHII, Kazufumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IURA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHII, Kazufumi; (JP).
IURA, Shinichi; (JP)
Mandataire : YOSHIDA, Shigeaki; Sumitomo-Seimei OBP Plaza Building 10th Floor 4-70, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A power semiconductor device, particularly a power semiconductor device having a plurality of semiconductor device modules, wherein the device is designed to eliminate inconveniences due to the presence of a control substrate, to facilitate electric connection between power semiconductor elements and the main circuit terminal, and to be less subject to restrictions on the mounted number and layout of power semiconductor elements. And, the arrangement is such that a control emitter relay terminal (7), a gate relay terminal (8) and a relay terminal (9) are connected to a control substrate (10) disposed above the end edge of a semiconductor device module (100). The control substrate (10) has control circuits and elements for performing motion control of an IGBT element (1) and diode element (2) and also has a control emitter wiring pattern to which the control emitter relay terminal (7) is connected, and a gate wiring pattern to which the gate relay terminal (8) is connected, these wiring patterns being connected to the control circuit.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de puissance à semi-conducteurs qui comporte notamment une pluralité de modules. Ce dispositif permet d'éliminer les inconvénients dus à la présence d'un substrat de commande afin de faciliter la connexion électrique entre les éléments de puissance à semi-conducteurs et la borne principale du circuit, et de façon à être moins soumis aux restrictions du nombre des éléments de puissance à semi-conducteurs et à leur topologie. Cet agencement permet le raccordement d'une borne relais (7) de l'émetteur de commande, d'une borne relais (8) de la grille et d'une borne relais (9) à un substrat de commande (10) placé au-dessus du bord terminal d'un module (100) du dispositif à semi-conducteurs. La substrat de commande (10) comporte des circuits et des éléments pour effectuer la commande de déplacement d'un élément IGBT (1) et d'un élément de diode (2), ainsi qu'un motif de câblage auquel est raccordée la borne relais (7) de l'émetteur de commande, et un motif de câblage auquel est raccordée la borne relais (8) de la grille, ces motifs de câblage étant reliés au circuit de commande.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)