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1. (WO2002082534) PROCEDE ET DISPOSITIF D'INTEGRATION DE CAPTEURS IN SITU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082534    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008037
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 28.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : BODE, Christopher, A.; (US).
SONDERMAN, Thomas, J.; (US)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, M/S 562, Austin, TX 78741 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
09/827,573 06.04.2001 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR INCORPORATING IN-SITU SENSORS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF D'INTEGRATION DE CAPTEURS IN SITU
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides for a method and an apparatus for incorporating in-situ sensors into a semiconductor manufacturing process. At least one semiconductor device (105) is processed. An in-situ sensor analysis is performed upon the processed semiconductor device (105). A subsequent process is performed on at least one semiconductor device (105) in response to the in-situ sensor analysis.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif d'intégration de capteurs in situ dans une opération de fabrication de semi-conducteurs. Au moins un dispositif à semi-conducteur (105) subit un traitement. On effectue une analyse par capteurs in situ après le traitement de ce dispositif à semi-conducteur (105), puis on réalise une opération subséquente sur au moins un dispositif à semi-conducteur (105) en réponse à cette analyse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)