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1. (WO2002082531) STRUCTURE ET PROCEDE DE DETERMINATION DE BORDS DE ZONES DANS UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082531    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010735
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 05.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.10.2002    
CIB :
H01L 23/544 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81669 Munich (DE)
Inventeurs : SCHAFBAUER, Thomas; (US).
VON EHRENWALL, Andreas; (DE).
MONO, Tobias; (DE)
Mandataire : BRADEN, Stanton C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept., 186 Wood Ave. South, Iselin, NJ 08830 (US).
PATENTANWALTE Kindermann; Karl-Böhn-Str. 1, D-85598 Baldham (DE)
Données relatives à la priorité :
09/826,732 05.04.2001 US
Titre (EN) STRUCTURE AND METHOD FOR DETERMINING EDGES OF REGIONS IN A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) STRUCTURE ET PROCEDE DE DETERMINATION DE BORDS DE ZONES DANS UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for electrically determining in a semiconductor wafer the location of edges of a well that underlies an insulating layer that includes forming in the wafer before forming of the well and the insulating layer a plurality of conductive stripes will that pass under the future insulating layer and extend to varying distances under the insulating layer so as to include stripes that will penetrate an edge to be located so as to form a low resistance connection thereto and stripes that will fall short of an edge to be located. From the stripes of minimum penetration that make low resistance can be determined the location of the well edges.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de déterminer au niveau électrique l'emplacement de bords d'un puits dans une plaquette de semi-conducteur, ledit puits mettant en valeur une couche d'isolation. Selon ledit procédé, la formation d'une pluralité de bandes conductrices précède la formation de la couche d'isolation et du puits, lesdites bandes passant sous la future couche d'isolation et s'étendant à des distances variables sous cette même couche. Ainsi, on obtient des bandes qui pénètrent un bord à localiser, de manière à constituer une connexion de faible résistance et des bandes auxquelles il manque un bord à localiser. A partir des bandes de pénétration minimale qui engendrent une résistance faible, on peut déterminer l'emplacement des bords du puits.
États désignés : CN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)