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1. (WO2002082526) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082526    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003365
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 03.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.08.2002    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
MORITA, Kiyoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAKE, Shoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEDA, Michihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHTSUKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIKAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAGI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBO, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORITA, Kiyoyuki; (JP).
MIYAKE, Shoji; (JP).
UEDA, Michihito; (JP).
OHTSUKA, Takashi; (JP).
NISHIKAWA, Takashi; (JP).
INOUE, Akira; (JP).
TAKAGI, Takeshi; (JP).
HARA, Yoshihiro; (JP).
KUBO, Minoru; (JP)
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Taihei Bldg., 4-8, Utsubohonmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 550-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-104102 03.04.2001 JP
2001-150719 21.05.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A silicon oxide film (102), a Pt film (103x), a Ti film (104x), and a PZT film (105x) are deposited on an Si substrate (101) in order. The Si substrate (101) is placed in a chamber (106), and the PZT film (105x) is irradiated with a millimeter wave (108). By the irradiation, the dielectric films such as the PZT film can be locally heated. Thus, the leak characteristics of the dielectric films can be improved without adversely influencing the device on the Si substrate (101).
(FR)Pour cette invention, on dispose successivement sur un substrat de Si (101) un film d'oxyde de silicium (102), un film de Pt (103x), un film de Ti (104x), et un film de PZT (105x). On place le substrat de Si (101) dans une chambre (106), et on soumet le film de PZT (105x) à un rayonnement millimétrique (108). La rayonnement fait que les films diélectriques tels que le film de PZT peuvent être chauffés localement. Cela permet d'améliorer les caractéristiques de fuite des films diélectriques, sans effets néfastes sur les dispositifs existant sur le substrat de Si (101).
États désignés : CN, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)