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1. (WO2002082524) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082524    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002710
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 20.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.03.2002    
CIB :
G01K 1/20 (2006.01), G01K 7/04 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
MAKIYA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Takanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EICKMANN, Karuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAUSHAL, Sanjeev [IN/US]; (US) (US Seulement).
DIP, Anthony [US/US]; (US) (US Seulement).
O'MEARA, David L [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAKIYA, Toshiyuki; (JP).
SAITO, Takanori; (JP).
EICKMANN, Karuki; (JP).
KAUSHAL, Sanjeev; (US).
DIP, Anthony; (US).
O'MEARA, David L; (US)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-100032 30.03.2001 JP
Titre (EN) HEAT TREATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A heat treating device capable of improving the transient response characteristics of a thermocouple (42) by providing a reflection preventive film (50) on the surface of the thermocouple (42) disposed in the treatment container (1) of the heat treating device, wherein the thermocouple (42) is formed of a platinum wire (43A) and a platinum rhodium alloy wire (43B) connected to each other, and the reflection preventive film (50) is formed of a silicon nitride layer (50C), a silicon layer (50B), and a silicon nitride layer (50A) stacked in that order on the surface of the thermocouple (42).
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement thermique permettant d'améliorer les caractéristiques de réponse transitoire d'un thermocouple (42) grâce à un film anti-réflexion (50) disposé à la surface du thermocouple (42), ce dernier étant situé dans le conteneur de traitement (1) du dispositif de traitement thermique. Le thermocouple (42) est formé d'un fil de platine (43A) et d'un fil constitué d'un alliage platine-rhodium (43B) connectés l'un à l'autre. Le film anti-réflexion (50) est formé d'une couche de nitrure de silicium (50C), d'une couche de silicium (50B) et d'une deuxième couche de nitrure de silicium (50A) superposées dans cet ordre à la surface du thermocouple (42).
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)