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1. (WO2002082522) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE UNIQUE ET SYSTEME DE TRAITEMENT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082522    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/001251
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 14.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.06.2002    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
SAKUMA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Hirokatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKUMA, Takeshi; (JP).
KOBAYASHI, Hirokatsu; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-102417 30.03.2001 JP
Titre (EN) SINGLE WAFER PROCESSING METHOD AND SYSTEM FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE UNIQUE ET SYSTEME DE TRAITEMENT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A substrate (W) to be processed is mounted on a mounting table (24) in a processing chamber (14) and a plurality of semiconductor processing operations are performed by heating the mounting table (24) through a temperature controlling member (50), thereby heating the substrate (W) to be processed. Reflectivity in the processing chamber (14) depends on deposition of subproducts, generated during semiconductor processing of the substrate (W) to be processed, in the processing chamber (14). During first and last processing operations, a parameter representative of reflectivity in the processing chamber (14) is measured. In the processing operation following to measurement of the parameter, set temperature of the mounting table (24) used for semiconductor processing is regulated based on the measurement of parameter, thus enhancing reproducibility of semiconductor processing.
(FR)L'invention concerne un substrat (W) à traiter, fixé sur une table d'assemblage (24) dans une chambre de traitement (14), et une pluralité d'opérations de traitement de semi-conducteurs réalisées par chauffage de ladite table (24) au moyen d'un élément de régulation des températures, ce qui permet de chauffer le substrat (W) à traiter. La réflectivité dans la chambre de traitement (14) dépend du dépôt des sous-produits, engendré pendant le traitement du substrat (W), dans ladite chambre de traitement (14). Au cours de la première et de la dernière opérations de traitement, un paramètre représentatif de la réflectivité dans la chambre de traitement (14) est mesuré. Dans l'opération de traitement suivant la mesure du paramètre, la température établie de la table d'assemblage (24) utilisée pour le traitement du semi-conducteur est régulée en fonction de la mesure du paramètre, ce qui permet d'améliorer la reproductibilité dudit traitement.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)