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1. (WO2002082519) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PRESENTANT UNE ELECTRODE DE CONTACT EN FORME DE T
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082519    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/001587
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 14.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.09.2002    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Déposants : UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Runge-Str. 11, 89081 Ulm (DE) (Tous Sauf US).
BEHAMMER, Dag [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BEHAMMER, Dag; (DE)
Mandataire : WEBER, Gerhard; Rosengasse 13, 89073 Ulm (DE)
Données relatives à la priorité :
101 17 741.0 09.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-BAUELEMENTS MIT EINER T-FÖRMIGEN KONTAKTELEKTRODE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A T-SHAPED CONTACT ELECTRODE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PRESENTANT UNE ELECTRODE DE CONTACT EN FORME DE T
Abrégé : front page image
(DE)Zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements mit einer im Querschnitt T-förmigen metallischen Kontaktelektrode, insbesondere eines Feldeffekt-Transistors mit einem T-Gate, wird zur Erzeugung einer Fussbreite del Elektrode im Submikrometerbereich ein selbstjustierendes Verfahren mit optischer Lithografie angegeben, bei welchem mit einer optischen Lithografiemaske eine erste breite Öffnung mit der Kopfstruktur der T-Elektrode erzeugt wird. Diese breite Öffnung wird durch gegenüberliegende Spacer eingeengt auf eine wesentlich geringere Weite, welche die Dimension des Elektrodenfusses festlegt. Eine Schutzschicht, welche erst in einem späten Verfahrensschritt geöffnet und später entfernt wird, verhindert Schädigungen empfindlicher Halbleiterbereiche während des Herstellungsprozesses.
(EN)In order to produce a semiconductor component comprising a metallic contact electrode with a T-shaped cross-section, in particular a field effect transistor with a T-gate, the invention discloses a self-adjusting method for creating the foot width of the electrode in the submicrometer range using optical lithography. According to said method, a first broad opening that determines the head structure of the T-electrode is created using an optical lithography mask. Said broad opening is reduced to a substantially narrower width by means of opposing spacers, said width determining the dimension of the electrode foot. A protective layer, which is only revealed in a later step and is subsequently removed, prevents damage to sensitive semiconductor regions during the production process.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un composant semi-conducteur présentant une électrode de contact métallique dont la section transversale est en forme de T, notamment d'un transistor à effet de champ présentant une grille en T. Selon cette invention, un procédé à ajustage automatique mettant en oeuvre une lithographie optique permet d'obtenir une largeur de base de l'électrode de l'ordre du sous-micron et permet, au moyen d'un masque de lithographie optique, de produire une première large ouverture et la structure de tête de l'électrode en T. Des espaceurs opposés permettent de réduire cette large ouverture à une largeur sensiblement plus étroite, qui détermine la dimension de la base de l'électrode. Une couche de protection, qui est d'abord ouverte dans une étape du procédé ultérieure, puis qui est ensuite éliminée, permet d'éviter l'endommagement de zones semi-conductrices sensibles au cours du processus de production.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)