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1. (WO2002082517) PROCEDE DE FABRICATION POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082517    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003026
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 27.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.2002    
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1, Aza-Nagahata, Ooaza-Ochiai, Haruhi-cho, Nishikasugai-gun, Aichi 452-8564 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMITA, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IROKAWA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Seiji; (JP).
TOMITA, Kazuyoshi; (JP).
IROKAWA, Yoshihiro; (JP).
ITO, Kenji; (JP)
Mandataire : FUJITANI, Osamu; Marunouchi KS Bldg. 16F, 18-25, Marunouchi 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 460-0002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-099123 30.03.2001 JP
2001-099211 30.03.2001 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A reaction prevention layer prevents a reaction between a later-laminated gallium nitride semiconductor (semiconductor crystal A) and Si. A reaction prevention layer, consisting of, e.g., AlN higher in a melting point or heat resistance than a gallium nitride semiconductor, is formed on a sacrifice layer. This arrangement prevents a high-temperature-caused reaction portion from being formed in a semiconductor substrate laminated on a reaction prevention layer even when a gallium nitride semiconductor is crystal-grown for a long time at high temperatures. That is, a silicon diffusion preventing action offered by the above reaction prevention layer can limit the development of the reaction portion to within the sacrifice layer and does not allow it to progress to above the reaction prevention layer. SACRIFICE LAYER (REACTION LAYER)
(FR)Cette invention concerne une couche anti-réaction qui empêche le déclenchement d'une réaction un semi-conducteur au nitrure de gallium laminé ultérieurement (cristal semi-conducteur A) et Si. Une couche anti-réaction, faite par exemple d'AlN, dont le point de fusion est supérieur à celui du nitrure de gallium et qui présente une résistance à la chaleur plus élevée, est formée sur une couche sacrifiée. On empêche ainsi la formation, par haute température, d'une « partie de réaction » dans le substrat semi-conducteur laminé sur une couche anti-réaction, même si le semi-conducteur au nitrure de gallium est obtenu par un procédé de tirage cristallin lent et à de hautes températures. En d'autres termes, l'effet de prévention de diffusion du silicium » apporté par la couche anti-réaction susmentionnée peut freiner le développement de la « partie de réaction » au sein de la « couche sacrifiée » et l'empêcher de se développer au-dessus de la couche anti-réaction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)