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1. (WO2002082516) DISPOSITIF DE CROISSANCE DE PHASE GAZEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082516    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002405
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 14.03.2002
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
ARAI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAI, Takeshi; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwatocho Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-100848 30.03.2001 JP
Titre (EN) GASEOUS PHASE GROWING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CROISSANCE DE PHASE GAZEUSE
Abrégé : front page image
(EN)A gaseous phase growing device (10) capable of reducing the adhesion of particles and the formation of defective crystals produced during gaseous phase growing, comprising a reaction container (11) and a susceptor (12) for loading, thereon, a silicon wafer (20) installed in the reactive container (11), wherein a chamfered part (12a) is formed in the susceptor, lift pins (13) are slidably disposed through through-holes (12b) provided in the chamfered part, and the lift pins are moved vertically to move the lift pins closely to or apart from the rear surface (21) of the silicon wafer so as to attach and detach the silicon wafer on the susceptor, wherein a sliding surface between the lift pins and the susceptor is polished.
(FR)L'invention concerne un dispositif de croissance de phase gazeuse (10) capable de réduire l'adhésion de particules et la formation de cristaux défectueux produits pendant la croissance de la phase gazeuse. Ce dispositif comprend un récipient réactif (11) et un suscepteur (12) permettant de charger sur celui-ci une plaquette de silicium (20) installée dans le récipient réactif (11). Ce dispositif est caractérisé en ce qu'une partie chanfreinée (12a) est formée dans le suscepteur, en ce que des broches de levage sont disposées coulissantes à travers des trous traversants (12b) ménagés dans la partie chanfreinée et en ce que les broches de levage sont déplacées verticalement de manière être déplacées à proximité ou à distance de la surface arrière (21) de la plaquette de silicium, aux fins de fixation de la plaquette de silicium sur le suscepteur et de retrait de la plaquette de celui-ci, une surface coulissante entre les broches de levage et le suscepteur étant polie.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)