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1. (WO2002082512) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF DE MASQUE ET MOTIF DE MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082512    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002992
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 27.03.2002
CIB :
G03F 1/68 (2012.01), G03F 1/70 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
OGAWA, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHNUMA, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGAWA, Kazuhisa; (JP).
OHNUMA, Hidetoshi; (JP)
Mandataire : NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, 9th Floor, Toranomon Daiichi Building, 2-3, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-105355 04.04.2001 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING EXPOSURE PATTERN AND EXPOSURE PATTERN
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF DE MASQUE ET MOTIF DE MASQUE
Abrégé : front page image
(EN)An exposure pattern forming method in which a rule-based proximity effect correction to which the computer graphics is applied is used. The exposure pattern forming method for forming an exposure pattern by correcting individual pattern portions constituting a design pattern, by a preset correction corresponding to both the line widths of the individual pattern portions and the space widths of space portions adjoining the individual pattern portions. This method is characterized by comprising processing the design pattern graphically extracting the individual pattern portions every object line width, and extracting the individual space portions every object space width (ST2, ST3); and processing the individual pattern portions extracted every object line width and the individual space portions extracted every object space width graphically on the basis of the individual corrections and correcting the pattern portions of the individual object line widths every object space width (ST4 to ST9).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former un motif de masque, dans lequel on utilise une correction d'effet de proximité à base de règles, réalisée par des moyens infographiques. Ce procédé de formation de motif de masque permet la formation d'un motif par des corrections des parties individuelles d'un motif modèle, sur lequel on applique des corrections prédéterminées portant à la fois sur les largeurs de ligne des parties individuelles du motif et sur les largeurs des espaces des parties comprenant des espaces, adjacentes aux parties individuelles du motif. Ce procédé est caractérisé en ce qu'il consiste à traiter graphiquement le modèle de motif, en extrayant chaque largeur de ligne objet des parties individuelles du motif, et à extraire chaque largeur (ST2, ST3) objet des espaces individuels, puis à traiter graphiquement les largeurs de chaque ligne objet extraite et de chaque espace extrait par des corrections individuelles, et à corriger les largeurs des lignes objet individuelles et les largeurs (ST4 à ST9) de chaque espace objet.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)