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1. (WO2002082510) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE FERROELECTRIQUE EN MANGANITE DES TERRES RARES A TRANSISTOR UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082510    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/013095
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 24.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.03.2002    
CIB :
G11C 11/22 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : GNADINGER, Fred, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
COVA TECHNOLOGIES INCORPORATED [US/US]; 5061 N. 30th Street, Suite 105, Colorado Springs, CO 80919 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : GNADINGER, Fred, P.; (US)
Mandataire : BURTON, Carol, W.; Hogan & Hartson, LLP, 1200 17th Street, Suite 1500, Denver, CO 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
60/227,858 24.08.2000 US
60/272,986 02.03.2001 US
Titre (EN) SINGLE TRANSISTOR RARE EARTH MANGANITE FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE FERROELECTRIQUE EN MANGANITE DES TERRES RARES A TRANSISTOR UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A memory device is formed of the one transistor cell type. Such a device has a substrate, a ferroelectric layer which is a film of rare earth manganite, and an interfacial oxide layer being positioned between the substrate and the ferroelectric layer. The invention includes such a device and methods of making the same.
(FR)L'invention concerne un dispositif mémoire formé à partir d'un type de cellule à transistor unique. Ce dispositif possède un substrat, une couche ferroélectrique qui est un film constitué de manganite de terres rares et une couche d'oxyde d'interface placée entre le substrat et la couche ferroélectrique. L'invention concerne ce dispositif et les procédés de fabrication correspondants.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)