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1. (WO2002082505) PROCEDE DESTINE A REDUIRE LE COURANT DE FUITE PENDANT UNE OPERATION DE DEVERMINAGE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082505    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010240
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 02.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
C12M 1/34 (2006.01), G01N 33/50 (2006.01)
Déposants : SUN MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; M/S Upal01-521, 901 San Antonio Road, Palo Alto, CA 94303 (US)
Inventeurs : WONG, Ban, P.; (US)
Mandataire : ROSENTHAL, Alan, D.; Rosenthal & Osha L.L.P., 1221 McKinney, Suite 2800, Houston, TX 77010 (US)
Données relatives à la priorité :
09/825,977 04.04.2001 US
Titre (EN) A METHOD TO REDUCE LEAKAGE DURING A SEMI-CONDUCTOR BURN-IN PROCEDURE
(FR) PROCEDE DESTINE A REDUIRE LE COURANT DE FUITE PENDANT UNE OPERATION DE DEVERMINAGE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for reducing sub-threshold leakage during the burn-in procedure for a semi-conductor is disclosed. The method includes applying a back-bias voltage to the device during the burn-in procedure. The back-bias voltage increases the threshold voltage of the semi-conductor device and consequently, reduces the sub-threshold leakage current.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à réduire le courant de fuite sous le seuil pendant une opération de déverminage d'un semi-conducteur. Ce procédé consiste à appliquer une tension de polarisation inverse sur ce dispositif pendant l'opération de déverminage. La tension de polarisation inverse augmente la tension de seuil du dispositif à semi-conducteur et, par voie de conséquence, réduit le courant de fuite sous le seuil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)