WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002082497) DISPOSITIF ET PROCEDE DE COMMANDE DE FAISCEAUX D'ELECTRONS FOCALISES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082497    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/003866
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 08.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.11.2002    
CIB :
H01J 37/073 (2006.01), H01J 37/304 (2006.01)
Déposants : ICT, INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FÜR HALBLEITERPRÜFTECHNIK MBH [DE/DE]; Postfach 1333, 85543 Heimstetten (DE) (Tous Sauf US).
WINKLER, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ADAMEC, Pavel [CZ/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WINKLER, Dieter; (DE).
ADAMEC, Pavel; (DE)
Mandataire : ZIMMERMANN, Gerd; Zimmermann & Partner, Postfach 330 920, 80069 München (DE)
Données relatives à la priorité :
01108868.9 09.04.2001 EP
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING FOCUSSED ELECTRON BEAMS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE COMMANDE DE FAISCEAUX D'ELECTRONS FOCALISES
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a focussing electron beam device comprising a single or an array of field emitter beam sources to generate electron beams with field emitter beam sources, at least one anode capable of accelerating the electrons of the electron beams towards a specimen, focussing components capable of focussing the electron beams onto the specimen and a control circuit that: a) senses for deviations of the actual current values of the electron beams from desired current values; b) controls first voltages V1 to adjust the actual current values of the electron beams to the desired current values; and c) controls second voltages V2 to adjust the actual focus positions of the electron beams to the desired focus positions. The voltage control circuit adjusts the actual current values of the electron beams to the desired current values and makes it possible to adjust the current values of an array of electron beams to a single value. Furthermore, a focussing electron beam device is disclosed with an array of field emitter beam sources integrated onto a substrate, which makes it possible to have arrays of field emitter beam sources with thousands or even millions of field emitter beam sources. With the integration of the control circuits for each field emitter beam source it is possible to adjust the current values and focus positions of each electron beam individually. Furthermore, methods are disclosed describing the operation of a single field emitter beam source or an array of field emitter beam sources.
(FR)L'invention concerne un dispositif de faisceaux d'électrons de focalisation comprenant une seule source ou un réseau de sources de faisceaux d'émission de champs destiné à engendrer des faisceaux d'électrons, au moins une anode capable d'accélérer les électrons des faisceaux d'électrons en direction d'un spécimen, des composants de focalisation capables de focaliser les faisceaux d'électrons sur le spécimen et un circuit de contrôle qui a) détecte des déviations des valeurs de courant du moment des faisceaux d'électrons à partir des valeurs de courant souhaitées, b) régule les premières tensions V1 pour ajuster les valeurs de courant du moment des faisceaux d'électrons aux valeurs de courant souhaitées, et c) régule les secondes tension V2 pour ajuster les positions de focalisations actuelles des faisceaux d'électrons à des positions de focalisation souhaitées. Ce circuit de contrôle de tensions ajuste les valeurs de courant du moment des faisceaux d'électrons à des valeurs de courant souhaitées et permet d'ajuster les valeurs du courant d'un réseau de faisceaux d'électrons à une valeur unique. En outre, cette invention a trait à un dispositif de faisceaux d'électrons de focalisation avec un réseau de sources de faisceaux d'émetteurs de champs sur un substrat, ce qui permet de disposer des réseaux de sources de faisceaux d'émetteurs de champs avec des centaines voire même des millions des sources de faisceaux d'émetteurs de champs. L'intégration des circuits de contrôle pour chaque source de faisceaux d'émetteurs de champs permet d'ajuster les valeurs de courant et les positions de focalisation de chaque faisceau d'électrons. En outre, ces méthodes décrivent l'opération d'une seule source de faisceaux d'émetteurs de champs ou un réseau desdits réseaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)