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1. (WO2002082496) PROCEDE ET SYSTEME POUR LE CONTROLE DU BALAYAGE DE FAISCEAU DANS UN DISPOSITIF D'IMPLANTATION IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082496    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/001504
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
CIB :
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054-3299 (US).
FROST, Alex, John [GB/GB]; (GB) (LR only)
Inventeurs : BOISSEAU, Raymond, Paul; (US).
LEDOUX, Robert, Joseph; (US).
NETT, William, Philip; (US)
Mandataire : FROST, Alex, John; Boult Wade Tennant Verulam Gardens 70 Gray's Inn Road London WC1X 8BT (GB)
Données relatives à la priorité :
09/822,864 02.04.2001 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING BEAM SCANNING IN AN ION IMPLANTATION DEVICE
(FR) PROCEDE ET SYSTEME POUR LE CONTROLE DU BALAYAGE DE FAISCEAU DANS UN DISPOSITIF D'IMPLANTATION IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for controlling ion beam scanning in an ion implanter is disclosed. Before an implant process is commenced, a scan waveform to create a uniform distribution along a magnetic scan axis is determined, using a travelling Faraday detector (24). Charge data from the travelling Faraday (24) is collected into a small, finite number of channels and this is used to create a histogram of collected charge vs. beam crossing time. This is in turn used to correct a target scan velocity to compensate for any dose non-uniformity. The target scan velocity is used as a first input to a fast feedback loop. A second input is obtained by digitizing the output of an inductive pickup in the magnet of the magnetic scanner in the ion implanter. Each input is separately is separately integrated and Fast Fourier Transformed Error coefficients F¿error? are obtained by dividing Fourier coefficients from the target scan velocity by Fourier coefficients form the inductive pickup signal. These error coefficients are used to control the command waveform to the magnetic scanner in the ion implanter.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système pour le contrôle du balayage de faisceau ionique dans un dispositif d'implantation ionique. Avant d'engager le processus d'implantation ionique, on détermine une forme d'onde de balayage pour établir une distribution uniforme le long d'un axe de balayage magnétique, en utilisant un détecteur de Faraday mobile (24). Les données de charge fournies par ce détecteur (24) sont recueillies dans un faible nombre fini de canaux, ce qui permet d'élaborer un histogramme (données de charge/temps de passage du faisceau), et donc de corriger une vitesse de balayage de cible pour compenser tel ou tel degré d'absence d'uniformité. Ladite vitesse peut être utilisée comme première entrée dans une boucle à rétroaction rapide. Une seconde entrée peut être obtenue par numérisation d'une sortie de captation de parasites en couplage inductif, dans l'aimant du scanner magnétique du dispositif d'implantation ionique. Chaque entrée est intégrée séparément, et on établit les coefficients d'erreur soumis à une transformation de Fourier rapide, F¿error?, en divisant les coefficients de Fourier issus de la vitesse de balayage de cible par les coefficients de Fourier issus du signal de captation de parasites en couplage inductif. On utilise ces coefficients d'erreur pour contrôler la forme d'onde de commande destinée au scanner magnétique du dispositif d'implantation ionique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)