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1. (WO2002082474) RESISTANCE A COUCHE MINCE COMPRENANT UNE BARRIERE D'HUMIDITE D'OXYDE DE TANTALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/082474 N° de la demande internationale : PCT/US2001/012034
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 12.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 02.09.2002
CIB :
H01C 7/00 (2006.01) ,H01C 17/12 (2006.01)
Déposants : VINCENT, Stephen, C.[US/US]; US (UsOnly)
VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.[US/US]; 1122 23rd Street P.O. Box 609 Columbus, NE 68602, US (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW)
Inventeurs : VINCENT, Stephen, C.; US
Mandataire : ZARLEY, Donald, H.; Zarley, McKee, Thomte, Voorhees & Sease Suite 3200 801 Grand Avenue Des Moines, IA 50309-3200, US
Données relatives à la priorité :
09/829,16909.04.2001US
Titre (EN) THIN FILM RESISTOR HAVING TANTALUM PENTOXIDE MOISTURE BARRIER
(FR) RESISTANCE A COUCHE MINCE COMPRENANT UNE BARRIERE D'HUMIDITE D'OXYDE DE TANTALE
Abrégé : front page image
(EN) The present invention discloses a method of manufacturing a thin film resistor with a moisture barrier by depositing a metal film layer on a substrate and depositing a layer of tantalum pentoxide film overlaying the metal film layer. The present invention also includes a thin film resistor having a substrate; a metal film layer attached to the substrate; and a tantalum pentoxide layer overlaying the metal film layer, the tantalum pentoxide layer providing a barrier to moisture, the tantalum pentoxide layer not overlaid by an oxidation.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une résistance à couche mince comprenant une barrière d'humidité. Ce procédé consiste à déposer une couche de film métallique sur un substrat et à déposer une couche de film d'oxyde de tantale par dessus la couche de film métallique. L'invention concerne également une résistance à couche mince comprenant un substrat, une couche de film métallique fixée sur ce substrat, ainsi qu'une couche d'oxyde de tantale disposée par dessus la couche de film métallique, cette couche d'oxyde de tantale constituant une barrière d'humidité, cette couche n'étant pas recouverte par une oxydation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)