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1. (WO2002082452) DISPOSITIF SYSTEME ET STRUCTURE MICRO-ELECTRONIQUES COMPRENANT UNE STRUCTURE MEMOIRE AYANT UNE PROPRIETE PROGRAMMABLE VARIABLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082452    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011082
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 08.04.2002
CIB :
G11C 11/34 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : AXON TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 2625 South Plaza Drive, Suite 469, Tempe, AZ 85282 (US) (Tous Sauf US).
KOZICKI, Michael, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOZICKI, Michael, N.; (US)
Mandataire : PILLOTE, Cynthia, L.; Snell & Wilmer L.L.P., One Arizona Center, 400 East Van Buren, Phoenix, AZ 85004-2202 (US)
Données relatives à la priorité :
60/282,057 06.04.2001 US
09/951,882 10.09.2001 US
Titre (EN) MICROELECTRONIC DEVICE, STRUCTURE, AND SYSTEM, INCLUDING A MEMORY STRUCTURE HAVING A VARIABLE PROGRAMMABLE PROPERTY AND METHOD OF FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SYSTEME ET STRUCTURE MICRO-ELECTRONIQUES COMPRENANT UNE STRUCTURE MEMOIRE AYANT UNE PROPRIETE PROGRAMMABLE VARIABLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic programmable structure suitable for storing information and a method of forming and programming the structure are disclosed. The programmable structure generally includes an ion conductor and a plurality of electrodes. Electrical properties of the structure may be altered by applying energy to the structure, and thus information may be stored using the structure.
(FR)L'invention se rapporte à une structure programmable micro-électronique conçue pour stocker des informations et à un procédé de fabrication et de programmation de ladite structure. La structure programmable comprend en règle générale un conducteur d'ions et une pluralité d'électrodes. Les propriétés électriques de la structure peuvent être modifiées par application d'énergie sur la structure et l'information peut alors être stockée grâce à cette structure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)