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1. (WO2002082182) ATTENUATION DU RACCOURCISSEMENT DE FIN DE LIGNE DANS DES EMBOUTS DE TRANSISTORS PAR ACCROISSEMENT DES COMPENSATEURS DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082182    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/004119
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 11.02.2002
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), G03F 1/30 (2012.01), G03F 1/36 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NUMERICAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 70 West Plumeria Drive, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : MA, Melody; (US).
LIU, Hua-Yu; (US)
Mandataire : PARK, Richard; Park, Vaughan & Fleming LLP, 508 2nd Street, Suite 201, Davis, CA 95616 (US)
Données relatives à la priorité :
60/281,325 03.04.2001 US
09/872,620 31.05.2001 US
Titre (EN) ALLEVIATING LINE END SHORTENING IN TRANSISTOR ENDCAPS BY EXTENDING PHASE SHIFTERS
(FR) ATTENUATION DU RACCOURCISSEMENT DE FIN DE LIGNE DANS DES EMBOUTS DE TRANSISTORS PAR ACCROISSEMENT DES COMPENSATEURS DE PHASE
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the invention provides a system and a method for reducing line end shortening during an optical lithography process for manufacturing an integrated circuit. The system operates by receiving a specification of the integrated circuit, wherein the specification defines transistors that include gates. Next, the system identifies a gate within the specification, wherein the gate includes an endcap that is susceptible to line end shortening during the optical lithography process. The system then extends a phase shifter used to form the gate, so that the phase shifter defines at least a portion of the endcap and thereby reduces line end shortening of the endcap due to optical effects.
(FR)Dans un mode de réalisation, cette invention concerne un système et un procédé permettant de réduire le raccourcissement de fin de ligne au cours d'un processus de lithographie optique lors de la fabrication d'un circuit intégré. Ce système fonctionne en recevant une spécification relative au circuit intégré, cette spécification définissant des transistors qui contiennent des grilles. Le système identifie ensuite une grille à l'intérieur de cette spécification, cette grille comportant un embout qui est susceptible de subir un raccourcissement de fin de ligne au cours du processus de lithographie optique. Le système accroît ensuite le compensateur de phase utilisé pour former la grille, pour que le compensateur de phase définisse au moins une partie de l'embout et réduise ainsi le raccourcissement de fin de ligne de l'embout dû aux effets optiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)