WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002082163) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF LASER SOLIDE UTILISANT LE PREMIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082163    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002314
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 12.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.10.2002    
CIB :
G02B 27/09 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Déposants : NIPPON STEEL CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8071 (JP) (Tous Sauf US).
NIPPON BUNRI UNIVERSITY [JP/JP]; 1727-162, Oaza-Ichigi, Oita-shi, Oita 870-0397 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAGUCHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAMADA, Naoya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAGUCHI, Satoshi; (JP).
HAMADA, Naoya; (JP)
Mandataire : ISHIDA, Takashi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-101454 30.03.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND SOLID LASER DEVICE USING THE SAME
(FR) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF LASER SOLIDE UTILISANT LE PREMIER
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser device increased in energy density at the focus; and a semiconductor laser excitation solid laser device using the same. A row of dotted-line-wise series-connected laser beams are disposed in front of stack array laser elements emitting a group of two-dimensional array-like parallel laser beams, each row of laser beams refracted substantially normal to the direction of the dotted lines and collimated are received, the direction of the laser beams from emitters or a group of emitters is turned through a right angle and the laser beams are emitted, whereby the laser beams are converted into a plurality of rows of laser beams paralleled substantially in a ladder form, which rows of laser beams are beam-compressed into a row of laser beams, the latter being converted into a series disposition, a row of parallel compressed laser beams are turned through a right angle and emitted, whereby all laser beams are converted into a group of laser beams paralleled in a single row, the group of laser beams being collimated and converged to a focus.
(FR)Cette invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur caractérisé par une densité d'énergie plus grande au point de focalisation ; et un dispositif laser solide à excitation avec laser à semi-conducteur. Une rangée de faisceaux lasers reliés en série, à la manière d'une ligne en pointillé, est disposée en avant d'éléments lasers empilés émettant un groupe de faisceaux laser parallèles bidimensionnels de type réseau. Chaque rangée de faisceau laser réfractée de manière sensiblement perpendiculaire à la direction des lignes pointillées et collimatées est reçue. La direction des faisceaux laser en provenance des émetteurs ou du groupe d'émetteurs est déviée à 90° et les faisceaux laser sont émis, ces faisceaux étant transformés en une pluralité de rangées sensiblement parallèles à la manière d'une échelle, lesquelles rangées sont compressées en une rangées de faisceaux laser disposés en série. Une rangée des faisceaux laser compressés est déviée à angle droit et émise. Tous les faisceaux laser sont transformés en un groupe de faisceaux laser parallèles et formant une seule rangée, lequel groupe est collimaté et converge sur le point de focalisation.
États désignés : CA, CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)