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1. (WO2002082111) PROCEDE SERVANT A REGULER LA MAGNETISATION DANS UNE STRUCTURE EN COUCHES, ET SA MISE EN OEUVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082111    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/000900
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 14.03.2002
CIB :
G01R 33/09 (2006.01), H01F 41/30 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
HAAS, Gunther [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JOHNSON, Andrew [US/DE]; (DE) (US Seulement).
MOERSCH, Gilbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HAAS, Gunther; (DE).
JOHNSON, Andrew; (DE).
MOERSCH, Gilbert; (DE)
Données relatives à la priorité :
101 17 355.5 07.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR EINSTELLUNG EINER MAGNETISIERUNG IN EINER SCHICHTANORDNUNG UND DESSEN VERWENDUNG
(EN) METHOD FOR ADJUSTING MAGNETIZATION IN A LAYERED ARRANGEMENT AND USE THEREOF
(FR) PROCEDE SERVANT A REGULER LA MAGNETISATION DANS UNE STRUCTURE EN COUCHES, ET SA MISE EN OEUVRE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Einstellung, insbesondere lokalen Veränderung, der resultierenden Magnetisierungsrichtung (m¿2?) in einer Schichtanordnung (2) mit einer ferromagnetischen Schicht (2a) und einer benachbarten antiferromagnetischen Schicht (2b) vorgeschlagen. Dazu wird die antiferromagnetische Schicht (2b) zunächst zumindest bereichsweise, insbesondere mit einem Laser, über eine Schwellentemperatur (T¿b?) aufgeheizt, oberhalb derer der Einfluss dieses Bereiches auf die resultierende Magnetisierungsrichtung (m¿2?) des benachbarten Bereiches (5, 6, 8, 9) der ferromagnetischen Schicht (2a) zumindest weitgehend verschwindet. Weiter wird dann zumindest der dem aufgeheizten Bereich der antiferromagnetischen Schicht (2b) benachbarte Bereich (5, 6, 8, 9) der ferromagnetischen Schicht (2a) einem externen Magnetfeld (H) vorgegebener Richtung ausgesetzt und schließlich die antiferromagnetische Schicht (2b) unter die Schwellentemperatur (T¿b?) abgekühlt. Das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung eines magnetoresistiven, nach dem Spin-Valve-Prinzip arbeitenden Schichtsystems mit bereichsweise unterschiedlichen Magnetisierungsrichtungen (m¿2?), die in Form von Wheatstone-Brücken zusammengeschaltet sind.
(EN)Disclosed is a method for adjusting magnetization, especially local modifications, in the resulting magnification (m¿2?) in a layered arrangement (2) with a ferromagnetic layer (2a) and an adjacent antiferromagnetic layer (2b). The antiferromagnetic layer (2b) is initially heated, at least partially, to above a threshold temperature (T¿b?), especially with the aid of a laser. Above said temperature, the influence of said area on the resulting direction of magnetization (m¿2?) of the adjacent area (5, 6, 8, 9) of the ferromagnetic layer (2a) disappears substantially. At least the area (5,6,8,9) of the ferromagnetic layer (2a) adjacent to the heated area of the antimagnetic layer (2b) is exposed to an external magnetic field (H) of a given direction and the antiferromagnetic layer (2b) is finally cooled to below the threshold temperature (T¿b?). The inventive method is particularly suitable for production of a magnetoresistive layered system working according to the spin-valve principle with partially different directions of magnetization (m¿2?) which are connected in the form of Wheatstone bridges.
(FR)La présente invention concerne un procédé servant à réguler, notamment à modifier localement, la direction de magnétisation résultante (m¿2?) dans une structure en couches (2) comprenant une couche ferromagnétique (2a) et une couche antiferromagnétique (2b) voisine. A cet effet, la couche antiferromagnétique (2b) est tout d'abord au moins partiellement portée au-dessus d'une température seuil (T¿b?), notamment au moyen d'une laser, l'effet de cette zone sur la direction de magnétisation résultante (m¿2?) de la zone voisine (5, 6, 8, 9) de la couche ferromagnétique (2a) disparaissant au moins dans une large mesure au-dessus de ladite température seuil. Ensuite, au moins la zone (5, 6, 8, 9) de la couche ferromagnétique (2a), voisine de la zone chauffée de la couche antiferromagnétique (2b), est exposée à un champ magnétique externe (H) de direction prédéterminée, et la couche antiferromagnétique (2b) est finalement refroidie en-dessous de la température seuil (T¿b?). Le procédé de l'invention convient notamment à la réalisation d'un système de couches magnétorésistif fonctionnant selon le principe des vannes de spin avec des directions de magnétisation (m¿2?) différentes par zones et qui sont reliées sous la forme de ponts de Wheatstone.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)