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1. (WO2002082100) CAPTEUR A BASE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/082100 N° de la demande internationale : PCT/FI2002/000241
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 21.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 15.10.2002
CIB :
B81B 3/00 (2006.01) ,G01P 15/08 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3
Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
P
MESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15
Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02
en ayant recours aux forces d'inertie
08
avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
Déposants : KUISMA, Heikki[FI/FI]; FI (UsOnly)
LAHDENPERÄ, Juha[FI/FI]; FI (UsOnly)
MUTIKAINEN, Risto[FI/FI]; FI (UsOnly)
VTI Technologies OY[FI/FI]; P.O. Box 27 FIN-01621 Vantaa, FI (AllExceptUS)
Inventeurs : KUISMA, Heikki; FI
LAHDENPERÄ, Juha; FI
MUTIKAINEN, Risto; FI
Mandataire : SEPPO LAINE OY; Itämerenkatu 3 B FIN-00180 Helsinki, FI
Données relatives à la priorité :
2001058221.03.2001FI
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON SENSOR AND A SILICON SENSOR
(FR) CAPTEUR A BASE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for manufacturing a silicon sensor structure and a silicon sensor. According to the method, into a single-crystal silicon wafer (10) is formed by etched opening at least one spring element configuration (7) and at least one seismic mass (8) connected to said spring element configuration (7). According to the invention, the openings and trenches (8) extending through the depth of the silicon wafer are fabricated by dry etch methods, and the etch process used for controlling the spring constant of the spring element configuration (7) is based on wet etch methods.
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure de capteur à base de silicium et sur un capteur à base de silicium. Ce procédé consiste à former par gravure sèche des orifices dans une plaquette de silicium monocristallin (10), au moins une configuration d'éléments élastiques (7) et au moins une masse séismique (8) raccordée à configuration précitée (7). Ce procédé se caractérise en ce que les orifices et tranchées (8) s'étendant dans la profondeur de la plaquette de silicium sont formés par gravure sèche, le processus de gravure utilisé permettant de contrôler la constante d'élasticité de la configuration d'éléments élastiques (7) à partir des procédés de gravure humide.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : ???LANGUAGE_SYMBOL_FI??? (FI)