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1. (WO2002081789) PROCEDE DE FABRICATION DE MONOCRISTAL SEMI-CONDUCTEUR A COMPOSE ZNTE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR METTANT EN OEUVRE UN TEL MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/081789    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002642
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 20.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.06.2002    
CIB :
C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome Minato-ku, Tokyo 105-8407 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAKAWA, Atsutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASAHI, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Tetsuya; (JP).
ARAKAWA, Atsutoshi; (JP).
SATO, Kenji; (JP).
ASAHI, Toshiaki; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Building 18, Iwato-cho Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-106295 04.04.2001 JP
2001-204419 05.07.2001 JP
2001-330193 29.10.2001 JP
2001-330194 29.10.2001 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ZnTe COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL ZNTE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE MONOCRISTAL SEMI-CONDUCTEUR A COMPOSE ZNTE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR METTANT EN OEUVRE UN TEL MONOCRISTAL
Abrégé : front page image
(EN)There are disclosed a method for manufacturing an n-type ZnTe compound semiconductor single crystal having a high carrier density and a low resistance, a ZnTe compound semiconductor single crystal, and a semiconductor device manufactured by using the ZnTe compound semiconductor as a substrate. Specifically, the method is characterized in that a ZnTe compound semiconductor single crystal is doped simultaneously with a first dopant for controlling the conductivity type of the ZnTe compound semiconductor to a first conductivity type and a second dopant for controlling the conductivity type to a second conduction type different from the first one in such a way that the number of atoms of the second dopant is less than that of the first dopant. It is possible to achieve a desired carrier density in a less amount dopant than that of the prior art and to improve the crystallinity of the crystal obtained.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un monocristal semi-conducteur à composé ZnTe du type n, possédant une concentration de porteurs élevée et une faible résistance, un monocristal semi-conducteur à composé ZnTe et un dispositif semi-conducteur fabriqué au moyen du semi-conducteur à composé ZnTe utilisé comme substrat. Plus précisément, le procédé est caractérisé en ce qu'un monocristal semi-conducteur à composé ZnTe est dopé simultanément au moyen d'un premier dopant permettant de contrôler le type de conductivité du semi-conducteur à composant ZnTe, de manière à obtenir un premier type de conductivité et au moyen d'un second dopant permettant de contrôler le type de conductivité, de manière à obtenir un second type de conductivité différant du premier, afin que le nombre d'atomes du second dopant soit inférieur à celui du premier dopant. Il est possible d'obtenir une concentration de porteurs souhaitée dans une quantité inférieure de dopant par rapport à celle de l'art antérieur et d'améliorer la cristallinité du cristal obtenu.
États désignés : CN, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)