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1. (WO2002081786) PROCEDE ET APPAREIL DE PREPARATION D'UN BAIN DE SILICIUM FONDU A PARTIR D'UNE CHARGE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/081786    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/051653
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 23.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.06.2002    
CIB :
C30B 15/02 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 8, 501 Pearl Drive, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : FUERHOFF, Robert, H.; (US).
BANAN, Mohsen; (US).
HOLDER, John, D.; (US)
Mandataire : BRIDGE, Richard, L.; One Metropolitan Square, Suite 1600, St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
09/711,198 09.11.2000 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PREPARING MOLTEN SILICON MELT FROM POLYCRYSTALLINE SILICON CHARGE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE PREPARATION D'UN BAIN DE SILICIUM FONDU A PARTIR D'UNE CHARGE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon in a crystal pulling apparatus entails loading an amount of polycrystalline silicon loaded into the crucible less than a predetermined total amount of polycrystalline silicon to be melted. The crucible is heated to form a partially melted charge in the crucible having an island of unmelted polycrystalline silicon exposed above an upper surface of melted silicon. Granular polycrystalline silicon is fed from a feeder onto the island of unmelted polycrystalline silicon until the predetermined total amount of polycrystalline silicon has been loaded into the crucible. The position of the island relative to the crucible side wall is electronically determined as granular polycrystalline silicon is fed onto the island. The feed rate at which granular polycrystalline silicon is fed from the feeder onto the island of unmelted polycrystalline silicon is controlled in response to the determined position of the island relative to the crucible side wall.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de préparation d'un bain de silicium fondu à partir de silicium polycristallin dans un appareil de tirage de cristal. Ce procédé consiste à charger dans le creuset une quantité de silicium polycristallin inférieure à la quantité totale prédéterminée de silicium polycristallin à fondre. Le creuset est chauffé de sorte à former une charge partiellement fondue présentant un îlot de silicium polycristallin non fondu exposé au-dessus de la surface supérieure du silicium fondu. Du silicium polycristallin granulaire est acheminé d'un dispositif d'alimentation sur l'îlot de silicium polycristallin non fondu, jusqu'à ce que la quantité totale prédéterminée de silicium polycristallin ait été chargée dans le creuset. La position de l'îlot par rapport à la paroi latérale du creuset est déterminée électroniquement, à mesure que le silicium polycristallin granulaire est acheminé du dispositif d'alimentation sur l'îlot. La vitesse d'alimentation à laquelle le silicium polycristallin granulaire est acheminé du dispositif d'alimentation sur l'îlot de silicium polycristallin non fondu est commandée en réponse à la position déterminée de l'îlot par rapport à la paroi latérale du creuset.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)