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1. (WO2002081771) SYSTEME ET PROCEDE DE DEPOT EN COUCHES ATOMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/081771    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009999
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 27.03.2002
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/515 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : ANGSTRON SYSTEMS, INC. [US/US]; 3350 Scott Boulevard, Building 62, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : CHIANG, Tony, P.; (US).
LEESER, Karl, F.; (US).
BROWN, Jeffrey, A.; (US).
BABCOKE, Jason, E.; (US)
Mandataire : OGONOWSKY, Brian, D.; Patent Law Group LLP, 2635 North First Street, Suite 223, San Jose, CA 95134-2049 (US)
Données relatives à la priorité :
60/281,628 05.04.2001 US
09/902,080 09.07.2001 US
09/970,867 03.10.2001 US
09/999,499 24.10.2001 US
09/999,532 24.10.2001 US
09/999,636 24.10.2001 US
10/000,382 24.10.2001 US
10/000,825 24.10.2001 US
10/004,488 24.10.2001 US
10/027,592 19.12.2001 US
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE DEPOT EN COUCHES ATOMIQUES
Abrégé : front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)