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1. (WO2002081767) PROCEDE PERMETTANT DE DETERMINER UNE DIMENSION CRITIQUE D'UNE INCLUSION D'OXYDE D'ALUMINIUM DANS UNE CIBLE DE PULVERISATION CATHODIQUE EN ALUMINIUM OU EN ALLIAGE D'ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/081767    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010516
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 04.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.08.2002    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : TOSOH SMD, INC. [US/US]; 3600 Gantz Road, Grove City, OH 43123 (US) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
WICKERSHAM, Charles, E., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
POOLE, John, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEYBOVICH, Alexander [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Lin [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WICKERSHAM, Charles, E., Jr.; (US).
POOLE, John, E.; (US).
LEYBOVICH, Alexander; (US).
ZHU, Lin; (US)
Mandataire : PEACOCK, Bruce, E.; Biebel & French, 35 East First Street, Dayton, OH 45402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/281,482 04.04.2001 US
Titre (EN) A METHOD FOR DETERMINING A CRITICAL SIZE OF AN INCLUSION IN ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY SPUTTERING TARGET
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE DETERMINER UNE DIMENSION CRITIQUE D'UNE INCLUSION D'OXYDE D'ALUMINIUM DANS UNE CIBLE DE PULVERISATION CATHODIQUE EN ALUMINIUM OU EN ALLIAGE D'ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for determining a critical size for a diameter of an Al¿2?O¿3? inclusion (38) in an Al or Al alloy sputter target (42) to prevent arcing during sputtering thereof. This method includes providing a sputtering apparatus having an argon plasma. The plasma has a plasma sheath of a known thickness during sputtering under a selected sputtering environment of an Al or Al alloy sputter target having an Al¿2?O¿3? inclusion-free sputtering surface. When the thickness of the sheath is known for a selected sputtering environment, the critical size of an Al¿2?O¿3? inclusion (38) can be determined based upon the thickness of the sheath. More specifically, the diameter of an Al¿2?O¿3? inclusion (38) in an Al or Al alloy sputter target (42) must be less than the thickness of the plasma sheath during sputtering under the selected sputtering environment to inhibit arcing.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de déterminer la dimension critique du diamètre d'une inclusion d'Al¿2?O¿3? (38) dans une cible (42) de pulvérisation cathodique en Al ou en alliage d'Al, de manière à empêcher la formation d'un arc électrique pendant la pulvérisation de celle-ci. Ce procédé comprend l'utilisation d'un dispositif de pulvérisation cathodique à plasma argon. Ce plasma présente lors de la pulvérisation une gaine de plasma d'épaisseur connue au cours de la pulvérisation d'une cible Al ou alliage d'Al présentant une surface Al¿2?O¿3? exempte d'inclusions, effectuée dans un environnement de traitement sélectionné. Lorsque l'épaisseur de la gaine est connue pour un environnement de traitement sélectionné, la dimension critique de l'inclusion (38) Al¿2?O¿3? peut être déterminée à partir de cette épaisseur de gaine. De manière plus spécifique, le diamètre d'une inclusion (38) Al¿2?O¿3? dans une cible (42) de pulvérisation cathodique en Al ou alliage d'Al doit être inférieur à l'épaisseur de la gaine du plasma durant la pulvérisation dans un environnement de traitement sélectionné, de manière à empêcher la formation d'un arc.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)