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1. (WO2002081363) PROCEDE POUR PRODUIRE UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR OBTENU SELON LE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/081363    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/000608
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 21.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.10.2002    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEBER, Heribert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHAEFER, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BENZEL, Hubert; (DE).
WEBER, Heribert; (DE).
SCHAEFER, Frank; (DE)
Données relatives à la priorité :
101 17 486.1 07.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE EIN NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED ACCORDING TO THIS METHOD
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR OBTENU SELON LE PROCEDE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 700), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Wärmeleitsensor, das ein Halbleitersubstrat (101), wie insbesondere aus Silizium, und einen Sensorbereich (404) aufweist. Zur kostengüngstigen Herstellung einer thermischen Isolierung zwischen dem Halbleitersubstrat (101) und dem Sensorbereich (404) wird erfindungsgemäss eine poröse Schicht (104; 501) in dem Halbleiterbauelement (100; ...; 700) vorgesehen.
(EN)The invention relates to a method for producing a semiconductor component (100; ...; 700), particularly a multilayer semiconductor component, preferably a micromechanical component such as, in particular, a heat-conducting sensor, which has a semiconductor substrate (101), particularly made of silicon, and a sensor area (404). The aim of the invention is to economically produce a thermal insulation between the semiconductor substrate (101) and the sensor area (404). To this end, a porous layer (104; 501) is provided in the semiconductor component (100; ...; 700).
(FR)L'invention concerne notamment un procédé pour produire un composant à semi-conducteur (100 ; ...; 700), notamment un composant à semi-conducteur multicouche, de préférence un composant micromécanique, notamment comme un substrat à semi-conducteur (101), en particulier à base de silicium, qui présente une zone de détection (404). Pour produire de manière économique une isolation thermique entre le composant à semi-conducteur (101) et la zone de détection (404), il est prévu selon l'invention une couche poreuse (104 ; 501) dans le composant à semi-conducteur (100 ; ...; 700).
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)