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1. (WO2002081044) APPAREIL ET PROCEDE DE TIRAGE DE RUBAN PAR CROISSANCE DE CRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/081044    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/049725
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 20.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.10.2002    
CIB :
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/34 (2006.01)
Déposants : RWE SCHOTT SOLAR INC. [US/US]; 4 Suburban Park Drive, Billerica, MA 01821 (US)
Inventeurs : MACKINTOSH, Brian, H.; (US).
OUELLETTE, Marc; (US)
Mandataire : PANDISCIO, Nicholas, A.; Pandiscio & Pandiscio, 470 Totten Pond Road, Waltham, MA 02451-1914 (US)
Données relatives à la priorité :
09/826,073 04.04.2001 US
Titre (EN) EFG CRYSTAL GROWTH APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TIRAGE DE RUBAN PAR CROISSANCE DE CRISTAL
Abrégé : front page image
(EN)An improved mechanical arrangement controls the introduction of silicon particles into an EFG (Edge-defined Film-fed Growth) crucible/die unit (20A) for melt replenishment during a crystal growth run. A feeder unit (124) injects silicon particles upwardly through a center hub (114) of the crucible/die unit (20A) and the mechanical arrangement intercepts the injected particles and directs them so that they drop into the melt in a selected region of the crucible and at a velocity which reduces splashing, whereby to reduce the likelihood of interruption of the growth process due to formation of solid mass of silicon on the center hub (114) and adjoining components. The invention also comprises use of a Faraday ring (300) to alter the ratio of the electrical currents flowing through primary (296) and secondary (298) induction heating coils that heat the crucible die unit (20A) and the mechanical arrangement.
(FR)L'invention concerne un dispositif mécanique amélioré qui commande l'introduction de particules de silicium dans un creuset/moule EFG (tirage de ruban par croissance) pour une reconstitution d'une matière fondue lors d'une croissance de cristal. Une unité d'alimentation injecte des particules de silicium vers le haut par un moyeu central du creuset/moule, le dispositif mécanique interceptant les particules injectées et les dirigeant de manière à les faire tomber dans la matière fondue dans une région choisie du creuset et à une certaine vitesse permettant de réduire les projections. On réduit ainsi la probabilité d'interruption du processus de croissance en raison de la formation d'une masse de silicium solide au centre du moyeu et des composants contigus. L'invention concerne en outre l'utilisation d'un anneau de Faraday pour modifier le rapport des courants électriques traversant les bobines de chauffage par induction primaires et secondaires qui chauffent le creuset/moule et le dispositif mécanique.
États désignés : AU, CN, IN, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)