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1. (WO2002080620) MICROPLAQUE CHAUFFANTE A TEMPERATURE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080620    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/001024
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
CIB :
G01N 27/12 (2006.01), G01N 27/16 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01)
Déposants : ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) [CH/CH]; Ecublens, CH-1015 Lausanne (CH) (Tous Sauf US).
POLLIEN, Arnaud [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
LEDERMANN, Nicolas [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
BABOROWSKI, Jacek [PL/CH]; (CH) (US Seulement).
MURALT, Paul [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : POLLIEN, Arnaud; (CH).
LEDERMANN, Nicolas; (CH).
BABOROWSKI, Jacek; (CH).
MURALT, Paul; (CH)
Mandataire : CRONIN, Brian; Cronin Intellectual Property, Route de Clémenty 62, CH-1260 Nyon (CH)
Données relatives à la priorité :
01810314.3 28.03.2001 EP
01810675.7 09.07.2001 EP
Titre (EN) HIGH TEMPERATURE MICRO-HOTPLATE
(FR) MICROPLAQUE CHAUFFANTE A TEMPERATURE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)A micro-hotplate device, useful in catalytic high-temperature chemical sensors, micro-chemical reactors and as infra-red source, in particular at temperatures above 600° C, comprises a thin film resistive heater (1) made of a refractory metal silicide selected from silicides of tantalum, zirconium, tungsten, molybdenum, niobium and hafnium, the silicide having a polycrystalline structure obtainalble at temperatures above 600° C. The thin film resistive heater (1) is encapsulated between insulating layers (2a, 2b) forming a sandwich structure (5) and is located in a membrane (7) over an aperture (6) in a silicon substrate (4). The device is producible by standard micromachining techniques.
(FR)L'invention concerne un dispositif microplaque chauffante, que l'on peut utiliser dans des capteurs chimiques catalytiques à haute température, des réacteurs microchimiques et comme source infrarouge, en particulier à des températures excédant 600 °C. Ledit dispositif comprend un élément chauffant (1) résistif à film mince en siliciure métallique réfractaire choisi parmi les siliciures de tantale, de zirconium, de tungstène, de molybdène, de nobium et de hafnium, le siliciure présentant une structure polycristalline que l'on peut obtenir à des températures excédant 600 °C. L'élément chauffant (1), encapsulé entre des couches isolantes (2a, 2b) formant une structure en sandwich (5), est situé dans une membrane (7) posée sur une ouverture (6) dans un substrat de silicium (4). Le dispositif peut être réalisé par des techniques de micro-usinage standard.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)