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1. (WO2002080287) STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIFS DE DETECTION DE LUMIERE INFRAROUGE LOINTAINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080287    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/048088
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 10.12.2001
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 31/062 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/101 (2006.01), H01L 31/113 (2006.01), H01L 31/119 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : DROOPAD, Ravindranath; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; 3102 North 56th Street, AZ11/56-238, Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/822,499 30.03.2001 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DEVICES FOR DETECTING FAR-INFRARED LIGHT
(FR) STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIFS DE DETECTION DE LUMIERE INFRAROUGE LOINTAINE
Abrégé : front page image
(EN)High-quality epitaxial layers of narrow-bandgap monocrystalline semiconductor materials can be grown overlying monocrystalline substrates (22), such as large silicon wafers, by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. One way to achieve the formation of a compliant substrate includes first growing a monocrystalline oxide layer (24) on a silicon wafer. The oxide layer may be spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer (28) of silicon oxide. The amorphous interface layer (28) dissipates strain and permits the growth of a high-quality monocrystalline oxide layer. The oxide layer (24) is lattice-matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline semiconductor material layer (26). Any lattice mismatch between the oxide layer (24) and the underlying silicon substrate (22) is relieved by the amorphous interface layer (28). Optical structures, such as far-infrared detectors and emitters, can be grown on high-quality, epitaxial, narrow-bandgap compound semiconductor materials to create highly reliable devices at reduced costs.
(FR)Selon ce procédé, on peut étirer des couches épitaxiales de haute qualité de matériaux semi-conducteurs monocristallins à largeur de bande interdite étroite pour recouvrir des substrats monocristallins (22) tels que de grandes plaques de silicium en formant un substrat adapté pour y étirer les couches monocristallines. Selon une réalisation, pour former un substrat adapté, le procédé consiste à étirer d'abord une couche d'oxyde monocristallin sur une plaque de silicium. La couche d'oxyde peut être espacée de la plaque de silicium par une couche d'interface amorphe (28) d'oxyde de silicium. La couche d'interface amorphe (28) dissipe la déformation et permet l'étirement de la couche d'oxyde monocristallin de haute qualité. La couche d'oxyde (24) est alignée dans l'axe cristallographique sur la plaque de silicium sous-jacente et sur la couche supérieure de matériau semi-conducteur monocristallin (26). La couche d'interface amorphe (28) permet de remédier au décalage de l'axe cristallographique entre la couche d'oxyde (24) et le substrat de silicium sous-jacent (22). Il est possible d'étirer des structures optiques telles que des détecteurs et émetteurs infrarouges lointains sur des matériaux semi-conducteurs composés à largeur de bande interdite étroite, épitaxiaux, de haute qualité, dans la fabrication à faibles coûts de dispositifs extrêmement fiables.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)