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1. (WO2002080285) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP AVEC HETEROJONCTION A COUCHE AIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080285    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009253
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.10.2002    
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01)
Déposants : CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; Suite 105, 20 Thornwood Drive, Ithaca, NY 14850 (US)
Inventeurs : SCHAFF, William, J.; (US).
HWANG, Jeonghyun; (US).
GREEN, Bruce, M.; (US)
Mandataire : VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/278,566 23.03.2001 US
09/858,337 15.05.2001 US
Titre (EN) AIN COATED HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP AVEC HETEROJONCTION A COUCHE AIN
Abrégé : front page image
(EN)A passivation layer (32) of A1N is deposited on a GaN channel HFET (10) using molecular beam epitaxy (MBE). Using MBE, many other surfaces may also be coated with A1N, including silicon devices, nitride devices, GaN based LEDs and lasers as well as other semiconductor systems. The deposition is performed at approximately 150 °C and uses alternating beams of aluminum and remote plasma RF nitrogen to produce an approximately 500 Å thick A1N layer.
(FR)Cette invention concerne une couche de passivation (32) d'A1N déposée sur un canal GaN de transistor à effet de champ à hétérojonction (HFET) (10) par épitaxie par faisceaux moléculaires. Ce procédé d'épitaxie par faisceaux moléculaires peut également utilisé pour recouvrir d'autres surfaces avec A1N, dont des dispositifs au silicium, des dispostifs à nitrure, des DEL à base de GaN et des lasers ainsi que d'autres systèmes à semi-conducteurs. Le dépôt se fait à environ 150 °C et fait intervenir en alternance des faisceaux d'aluminium et d'azote RF à plasma à distance pour produire une couche d'A1N d'environ 500 Å.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)