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1. (WO2002080280) PROCEDE DE REALISATION DE NANOSTRUCTURES ET DE NANOCABLES, ET DISPOSITIFS ETABLIS A PARTIR DE CE TYPE D'EQUIPEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080280    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010002
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 29.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.06.2002    
CIB :
B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), H01L 23/49 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01), H01L 35/00 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
MAJUMDAR, Arun [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAKOURI, Ali [IR/US]; (US) (US Seulement).
SANDS, Timothy, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Peidong [CN/US]; (US) (US Seulement).
MAO, Samuel, S. [CN/US]; (US) (US Seulement).
RUSSO, Richard, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
FEICK, Henning [DE/US]; (US) (US Seulement).
KIND, Hannes [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
WEBER, Eicke, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
YAN, Haoquan [CN/US]; (US) (US Seulement).
WU, Yiying [CN/US]; (US) (US Seulement).
FAN, Rong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAJUMDAR, Arun; (US).
SHAKOURI, Ali; (US).
SANDS, Timothy, D.; (US).
YANG, Peidong; (US).
MAO, Samuel, S.; (US).
RUSSO, Richard, E.; (US).
FEICK, Henning; (US).
KIND, Hannes; (CH).
WEBER, Eicke, R.; (US).
HUANG, Michael; (US).
YAN, Haoquan; (US).
WU, Yiying; (US).
FAN, Rong; (US)
Mandataire : O'BANION, John, P.; O'Banion & Ritchey LLP, Suite 1550, 400 Capitol Mall, Sacramento, CA 95814 (US)
Données relatives à la priorité :
60/280,676 30.03.2001 US
60/349,206 15.01.2002 US
Titre (EN) METHODS OF FABRICATING NANOSTRUCTURES AND NANOWIRES AND DEVICES FABRICATED THEREFROM
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE NANOSTRUCTURES ET DE NANOCABLES, ET DISPOSITIFS ETABLIS A PARTIR DE CE TYPE D'EQUIPEMENT
Abrégé : front page image
(EN)One-dimensional nanostructures having uniform diameters of less than approximately 200 nm. These inventive nanostructures, which we refer to as 'nanowires', include single-crystalline homostructures as well as heterostructures of at least two single-crystalline materials having different chemical compositions. Because single-crystalline materials are used to form the heterostructure, the resultant heterostructure will be single-crystalline as well. The nanowire heterostructures are generally based on a semiconducting wire wherein the doping and composition are controlled in either the longitudinal or radial directions, or in both directions, to yield a wire that comprises different materials. Examples of resulting nanowire heterostructures include a longitudinal heterostructure nanowire (LOHN) and a coaxial heterostructure nanowire (COHN).
(FR)L'invention concerne des nanostructures à diamètre uniforme inférieur à environ 200 nm, appelées 'nanocâbles', qui comprennent des homostructures monocristallines et des hétérostructures d'au moins deux matériaux monocristallins de composition chimique différente. L'utilisation de matériaux monocristallins donne une hétérostructure monocristalline. En règle générale, les hétérostructures de nanocâble sont établies à partir d'un fil semi-conducteur, et on contrôle le dopage et la composition selon une direction longitudinale ou radiale, ou dans les deux directions, pour réaliser un câble composé de différents matériaux. A titre d'exemple, on peut réaliser un nanocâble à hétérostructure longitudinale et un nanocâble à hétérostructure coaxiale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)