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1. (WO2002080274) CIRCUIT DE DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080274    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/000869
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 15.03.2002
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : TAYLOR, Clive, R.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
09/822,729 30.03.2001 US
Titre (EN) ELECTRICAL DISCHARGE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The reliability and operability of semiconductor devices is improved using a circuit arrangement that protects the device against malfunction and harm during operation. According to an example embodiment of the present invention, a semiconductor device includes a protection circuit that is adapted to discharge excess current and/or voltage in response to the voltage level at an input pad and to the operating condition of the device. The circuit protection circuit is configured to a first configuration during a power-up mode and to a second configuration during a power-down mode. When the voltage at the input pad reaches a selected threshold, the input voltage is discharged.
(FR)On améliore la fiabilité et l'efficacité opérationnelle de dispositifs semi-conducteurs au moyen d'un agencement de circuit qui protège le dispositif contre un dysfonctionnement et un endommagement au cours d'une opération. Selon un mode de réalisation représentatif de la présente invention, un dispositif semi-conducteur comporte un circuit de protection apte à décharger du courant et/ou de la tension excessif en réponse au niveau de tension à une pastille d'entrée et à l'état de fonctionnement du dispositif. Le circuit de protection est configuré dans une première configuration en mode sous tension et dans une deuxième configuration en mode hors-tension. Lorsque la tension au niveau de la pastille d'entrée atteint un seuil prédéterminé, la tension d'entrée est déchargée. FIG. 1 : A DIODES DE CANAL N EN CASCADE 170 MECANISME DE DETECTION 101 GRILLE (rien d'autre à traduire)
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)