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1. (WO2002080266) DISPOSITIFS EN SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) A STRUCTURE DE CAPTURE INTEGREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080266    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/049135
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 19.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.10.2002    
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US)
Inventeurs : MANDELMAN, Jack, A.; (US).
GAMBINO, Jeffrey, P.; (US).
LASKY, Jerome, B.; (US).
RADENS, Carl, J.; (US).
VOLDMAN, Steven, H.; (US)
Mandataire : PEPPER, Margaret, A.; International Business Machines Corporation, Dept. 18G/Building 300-482, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
09/822,431 30.03.2001 US
Titre (EN) SOI DEVICES WITH INTEGRATED GETTERING STRUCTURE
(FR) DISPOSITIFS EN SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) A STRUCTURE DE CAPTURE INTEGREE
Abrégé : front page image
(EN)An SOI wafer has a set of gettering sites (72, 74) formed in the device layer (30), optionally extending through the buried insulator (20); the gettering sites being formed within the source/drain regions of transistors.
(FR)La présente invention concerne une plaquette en silicium sur isolant (SOI) qui présente un ensemble de sites de capture (72, 74) ménagés dans la couche du dispositif (30) et s'étendant éventuellement sur l'isolant enterré (20). Ces sites de capture sont ménagés à l'intérieur des régions de source/drain de transistors.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)