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1. (WO2002080262) NANOSTRUCTURES LATERALES OBTENUES PAR TRAITEMENT VERTICAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080262    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009755
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 29.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.2002    
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 304 Old Main, University Park, PA 16802 (US)
Inventeurs : JACKSON, Thomas, N.; (US)
Mandataire : GREELEY, Paul, D.; Ohlandt, Greeley, Ruggiero and Perle, L.L.P., One Landmark Square, 10th Floor, Stamford, CT 06901-2682 (US)
Données relatives à la priorité :
60/280,235 30.03.2001 US
Titre (EN) LATERAL NANOSTRUCTURES BY VERTICAL PROCESSING
(FR) NANOSTRUCTURES LATERALES OBTENUES PAR TRAITEMENT VERTICAL
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a process for forming one or more lateral nanostructures on a subtrate (20). The process comprises the steps of: providing a substrate (20); depositing a first layer (24) on the substrate; forming at least one edge (26) on the first layer; depositing at least one separation layer (28) on the first layer, depositing a third layer (30) on the separation layer; and removing a portion of the separation layer and the third layer from the substrate such that a substantially planar surface is formed exposing the first layer, the separation layer, and the third layer (30).
(FR)La présente invention porte sur un procédé permettant de former une ou plusieurs nanostructures latérales sur un substrat (20). Ce procédé consiste à former un substrat (20); déposer une première couche (24) sur le substrat; former au moins un bord (26) sur la première couche; déposer au moins une couche de séparation (28) sur la première couche, déposer une troisième couche (30) sur la couche de séparation et retirer une partie de la couche de séparation et de la troisième couche du substrat de façon à former une surface pratiquement plane exposant la première couche, la couche de séparation et la troisième couche (30).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)