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1. (WO2002080261) SOUS-GARNISSAGE ISOLANT AU NIVEAU DE LA TRANCHE POUR LA FIXATION DE PLAQUETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080261    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010068
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 27.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.09.2002    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H05K 3/30 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, CA 90245 (US)
Inventeurs : STANDING, Martin; (GB)
Mandataire : MOSKOWITZ, Max; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, NY 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/279,102 28.03.2001 US
10/106,927 26.03.2002 US
Titre (EN) WAFER LEVEL INSULATION UNDERFILL FOR DIE ATTACH
(FR) SOUS-GARNISSAGE ISOLANT AU NIVEAU DE LA TRANCHE POUR LA FIXATION DE PLAQUETTES
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming an insulation underfill for soldering semiconductor die solder balls (12) by a solder paste on conductive traces on a support surface. The process comprises the screen printing or deposition from a syringe (60) of thermoplastic or thermosetting epoxy columns (14) between the solder balls, to a height equal to the standoff height of the die from the support surface. The assembly is first heated to a temperature at which the plastic becomes semifluid and before the area over which it will spread becomes contaminated with flux residue; and is next heated to the solder paste reflow temperature.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé servant à former un sous-garnissage isolant pour le soudage de billes de soudure (12) de plaquette de semi-conducteur au moyen d'une pâte de soudure sur des tracés conducteurs d'une surface de support. Ce procédé consiste à appliquer par pochoir ou à déposer à partir d'une seringue (60) des colonnes d'époxy thermoplastique ou thermodurcissable (14) entre les billes de soudure, à une hauteur égale à la hauteur à laquelle se situe le dé sur la surface de support. L'ensemble est d'abord chauffé à une température à laquelle le plastique devient semi-fluide et avant que la zone sur laquelle il va se répandre ne soit contaminée par du résidu de fondant, et il est ensuite chauffé à la température de reflux de la pâte de soudure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)