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1. (WO2002080259) PROCEDE DE FORMATION DE FILM ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080259    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003074
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
CIB :
C04B 35/583 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/36 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8315 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAMOTO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEDA, Noriaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGINO, Takashi [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : SAKAMOTO, Hitoshi; (JP).
UEDA, Noriaki; (JP).
SUGINO, Takashi; (JP)
Mandataire : MITSUISHI, Toshiro; Mitsuishi Law and Patent Office, Nihontanpahoso-kaikan, 9-15, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-93502 28.03.2001 JP
Titre (EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE FILM ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
Abrégé : front page image
(EN)A film forming method, comprising the steps of generating plasma (10) in a film forming chamber (2), exciting mainly nitrogen gas (11) in the film forming chamber (2), and mixing hydrogen gas-diluted diborane gas (13) with the excited nitrogen gas for reaction to form a boron nitride film (15) on a substrate (4), wherein the nitrogen gas (11) is fed excessively at the beginning of film formation to suppress the occurrence of amorphous phase on a boundary face, whereby the hygroscopic resistance on the boundary face of the substrate can be increased and the low dielectric constant can be kept unchanged.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de film, comprenant les étapes suivantes : production d'un plasma (10) dans un compartiment de formation de film (2) ; extraction principalement de l'azote gazeux (11) contenu dans le compartiment de formation de film (2), et mélange de diborane gazeux dilué à l'hydrogène gazeux (13) avec l'azote gazeux extrait, afin de permettre la réaction conduisant à la formation d'un film de nitrure de bore (15) sur un substrat (4). Selon l'invention : l'azote gazeux (11) est introduit en excès au début de la formation du film, ce qui permet de supprimer l'apparition d'une phase amorphe sur une face limite ; et la résistance hygroscopique sur la face limite du substrat peut être améliorée et la constante diélectrique faible peut être conservée.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)