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1. (WO2002080258) STRUCTURE DE CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080258    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003073
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8315 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAMOTO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEDA, Noriaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGINO, Takashi [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : SAKAMOTO, Hitoshi; (JP).
UEDA, Noriaki; (JP).
SUGINO, Takashi; (JP)
Mandataire : MITSUISHI, Toshiro; Mitsuishi Law and Patent Office Nihontanpahoso-kaikan 9-15, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-93501 28.03.2001 JP
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit structure, wherein boron nitride films are provided as protective films (34) between inter-layer insulation films (33) with a low dielectric constant formed of organic coated films or porous films so as to form an inter-layer insulation multi-layer film, whereby, since the inter-layer insulation films (33) with a low dielectric constant are combined with the boron nitride films with excellent mechanical and chemical resistances, high heat conductivity, and low dielectric constant, a reduction in dielectric constant can be achieved in such a state that adhesiveness and hygroscopic resistance are maintained.
(FR)La présente invention concerne une structure de circuit intégré, des films de nitrure de bore servant de films protecteurs (34) entre des films d'isolation inter-couches (33) ayant une constante diélectrique faible et étant formés de films organiques revêtus ou de films poreux, de manière à former un film multicouche d'isolation inter-couches. Selon l'invention, la combinaison des films d'isolation inter-couches (33) ayant une constante diélectrique faible, avec les films de nitrure de bore ayant des résistances mécanique et chimique excellentes, une conductivité thermique élevée, et une constante diélectrique faible, permet une réduction de la constante diélectrique de sorte que l'adhésivité et la résistance hygroscopique sont conservées.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)