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1. (WO2002080250) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080250    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003109
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome Minato-Ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGAWA, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
HIRAYAMA, Masaki; (JP).
SUGAWA, Shigetoshi; (JP).
GOTO, Tetsuya; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3 Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-094271 28.03.2001 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A micro wave plasma processing device, wherein a tapered surface for relieving a variation in impedance and a member having an intermediate dielectric constant are installed between a micro wave feeding wave guide and a micro wave antenna, whereby the formation of reflected wave at the connection part between the micro wave feeding wave guide and the micro wave antenna can be suppressed to increase a power feeding efficiency and suppress discharge so as to stabilize the formation of plasma in the plasma processing device.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma micro-onde dans lequel une surface tronconique permettant de décharger une variation d'impédance et un élément possédant une constante diélectrique intermédiaire sont installés entre un guide d'ondes alimentant des micro-ondes et une antenne micro-onde, la formation d'une onde réfléchie au niveau de la partie de raccord entre le guide d'ondes alimentant des micro-ondes et l'antenne micro-onde pouvant être supprimée, de manière à accroître l'efficacité d'alimentation en énergie et à supprimer une décharge, stabilisant ainsi la formation de plasma dans le dispositif de traitement au plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)