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1. (WO2002080249) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080249    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003108
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome Minato-Ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGAWA, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
HIRAYAMA, Masaki; (JP).
SUGAWA, Shigetoshi; (JP).
GOTO, Tetsuya; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3 Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-094272 28.03.2001 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing device comprises a processing vessel defined by an outer wall and having a holding block for holding a board to be processed, an exhaust system connected to the processing vessel, a plasma gas feed section for feeding plasma gas to the processing vessel, a microwave antenna installed on the processing vessel in opposed relation to the board to be processed, a processing gas feeding section disposed between the board to be processed on the holding block and the plasma gas feeding section in opposed relation to the board to be processed, wherein the processing gas feeding section comprises a plurality of first openings formed in the processing vessel to allow the plasma gas to pass therethrough, a processing gas passageway adapted to be connected to a processing gas source, a plurality of second openings communicating with the processing gas passageway, a diffusion section disposed in opposed relation to the second openings for diffusing the processing gas which is discharged through the second openings.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant une enceinte définie par une paroi extérieure et comportant un bloc de support servant à porter la plaquette à traiter, un système d'échappement connecté à l'enceinte de traitement, un organe d'apport de gaz plasma servant à alimenter l'enceinte de traitement en gaz plasma, une antenne hyperfréquence montée dans l'enceinte de traitement, face à la plaquette à traiter, un organe d'apport de gaz plasma de traitement placé entre la plaquette à traiter posée sur le bloc de support et l'organe d'apport de gaz plasma, face à la plaquette à traiter, l'organe d'apport de gaz de traitement comprenant une pluralité de premières ouvertures pratiquées dans l'enceinte de traitement en vue du passage du gaz plasma, un passage de gaz de traitement devant être connecté à la source de gaz de traitement, une pluralité de secondes ouvertures communiquant avec le passage de gaz de traitement, et enfin, un organe de diffusion placé face aux secondes ouvertures pour diffuser le gaz de traitement déchargé via les secondes ouvertures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)