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1. (WO2002080242) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080242    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002318
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 12.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.2002    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1, Aza-Nagahata, Ooaza-Ochiai, Haruhi-cho, Nishikasugai-gun, Aichi 452-8564 (JP) (Tous Sauf US).
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Aza Yokomichi, Oaza Nagakute, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi 480-1192 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIKE, Masayoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMITA, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Seiji; (JP).
KOIKE, Masayoshi; (JP).
TOMITA, Kazuyoshi; (JP)
Mandataire : FUJITANI, Osamu; Marunouchi KS Bldg. 16F, 18-25, Marunouchi 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 460-0002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-97228 29.03.2001 JP
2001-98065 30.03.2001 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP-III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE NITRURE DU GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)In an epitaxial growth in which growth regions (D) are defined by a lattice mask (2), consumption regions (C) of a group-III nitride compound semiconductor are formed between the edge portions of the adjoining growth regions (D) and at the central portions of the bands of the mask (2), so that group-III and group-V materials are not fed to the edge portions of the growth regions (D) unnecessarily. Therefore, the difference between the amount of group-III and group-V materials fed to the edge portions of an element forming regions (D) and that fed to the central portions thereof, is controlled sp that the central portions of the element regions (D) are not recessed.D) are not recessed.
(FR)Au cours d'une croissance épitaxiale dans laquelle des régions de croissance (D) sont définies par un masque à réseau (2), des régions de consommation (C) d'un semi-conducteur à base d'un composé nitrure du groupe III sont formées entre les parties de contour des régions de croissance adjacentes (D) et au niveau des parties centrales des bandes du masque (2), de sorte que les matières du groupe III et du groupe V ne sont pas inutilement amenées jusqu'aux parties de contour des régions de croissance (D). Par conséquent, la différence entre la quantité des matières du groupe III et du groupe V amenées jusqu'aux parties de contour des régions formant un élément (D) et celle amenée jusqu'aux parties centrales de ces régions est régulée de sorte que les parties centrales des régions (D) de l'élément ne soient pas en retrait.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)