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1. (WO2002080240) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET UTILISATION D'UNE INSTALLATION A FAISCEAU IONIQUE POUR LA MISE EN OEUVRE DUDIT PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080240    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/003344
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.10.2002    
CIB :
H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
GOEBEL, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MOLL, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GUTSCHE, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SEIDL, Harald [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GOEBEL, Bernd; (DE).
MOLL, Peter; (DE).
GUTSCHE, Martin; (DE).
SEIDL, Harald; (DE)
Mandataire : WILHELM, Jürgen; Wilhelm & Beck, Nymphenburger Strasse 139, 80636 München (DE)
Données relatives à la priorité :
101 15 912.9 30.03.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG UND VERWENDUNG EINER IONENSTRAHLANLAGE ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT AND THE USE OF AN ION BEAM ARRANGEMENT FOR CARRYING OUT SAID METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET UTILISATION D'UNE INSTALLATION A FAISCEAU IONIQUE POUR LA MISE EN OEUVRE DUDIT PROCEDE
Abrégé : front page image
(DE)Bekannt ist ein Lithographisches Verfahren zum Entfernen einer dünnen Maskenschicht, insbesondere eines Si3N4-Liners, auf einer Seite einer Vertiefung in einer Halbleiteranordnung. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass ein Ionenstrahl unter einem Winkel schräg auf die Vertiefung gerichtet wird, wodurch in den bestrahlten Bereichen die dünne Maskenschicht entfernt wird.
(EN)The invention relates to a lithographic method for removing a thin masking layer, particularly a Si3N4 layer on a side of a recess in a semi-conductor arrangement. According to the invention, an ion beam is orientated in an inclined manner at a certain angle towards the recess, enabling the thin masking layer to be removed in the regions exposed to the beams.
(FR)Le procédé lithographique destiné à éliminer une couche masque mince, en particulier une couche de Si3N4 sur un côté d'un évidement ménagé dans un dispositif à semi-conducteur, est un procédé connu. Selon la présente invention, un faisceau ionique est orienté de manière inclinée à un certain angle vers l'évidement, ce qui permet l'élimination de la couche masque mince dans les zones exposées au faisceau.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)