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1. (WO2002080239) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER DES ELEMENTS DE PHOTORESINE DE DIMENSIONS SOUS-LITHOGRAPHIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080239    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/048509
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 12.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : SHIELDS, Jeffrey, A.; (US).
OKOROANYANWU, Uzodinma; (US).
YANG, Chih-Yuh; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Données relatives à la priorité :
09/819,342 28.03.2001 US
Titre (EN) PROCESS FOR FORMING SUB-LITHOGRAPHIC PHOTORESIST FEATURES
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER DES ELEMENTS DE PHOTORESINE DE DIMENSIONS SOUS-LITHOGRAPHIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming sub-lithographic features in an integrated circuit is disclosed herein. The process includes modifying a photoresist layer (16) after patterning and development but before it is utilized to pattern the underlying layers. The modified photoresist layer (16) has different etch rates in the vertical and horizontal directions. The modified photoresist layer (16) is trimmed with a plasma etch. A feature (54) included in the trimmed photoresist layer (16) has a sub-lithographic lateral dimension.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de former des éléments de dimensions sous-lithographiques dans un circuit intégré. Le procédé comprend la modification de la couche de photorésine (16) après le modelage des contours et l'élaboration mais avant son utilisation pour le modelage des contours des couches sous-jacentes. La couche de photorésine modifiée (16) présente des taux de gravure différents dans les directions verticales et horizontales. On effectue le détourage de la couche de photorésine modifiée (16) au moyen d'une gravure par plasma. Un élément compris dans la couche de photorésine détourée (16) présente une dimension latérale sous-lithographique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)