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1. (WO2002080235) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DIELECTRIQUE INTERPOLY A CAPACITE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080235    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/000870
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 10.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.09.2002    
CIB :
H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US)
Inventeurs : GOOD, Mark, A.; (US).
KELKAR, Amit, S.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Law Offices of Thomas Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
09/821,365 28.03.2001 US
Titre (EN) A METHOD FOR FABRICATION OF A HIGH CAPACITANCE INTERPOLY DIELECTRIC
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DIELECTRIQUE INTERPOLY A CAPACITE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a silicon dioxide/silicon nitride/silicon dioxide (ONO) stacked composite (40) having a thin silicon nitride layer (16) for providing a high capacitance interpoly dielectric structure (70). In the formation of the ONO composite, a bottom silicon dioxide (14) layer is formed on a substrate such as polysilicon (52). A silicon nitride layer (16) is formed on the silicon dioxide layer and is thinned by oxidation. The oxidation of the silicon nitride film (16) consumes some of the silicon nitride by a reaction that produces a silicon dioxide layer (18). This silicon dioxide layer (18) is removed with a hydrofluoric acid dilution. The silicon nitride layer (16) is again thinned by re-oxidation as a top silicon dioxide layer (20) is formed on the silicon nitride layer (16) forming the ONO stacked composite (40). A second layer of polysilicon (54) is deposited over the ONO stacked composite (40), forming an interpoly dielectric (70).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composé (40) empilé de dioxyde de silicium/ nitrure de silicium / dioxyde de silicium (ONO) possédant une couche mince de nitrure de silicium (16), ce qui permet d'engendrer une structure diélectrique interpoly à capacité élevée (70). Dans la formation du composé ONO, on forme une couche de dioxyde de silicium inférieure (14) sur un substrat, tel qu'un polysilicium ? ¿(52). On forme une couche de nitrure de silicium (16) sur la couche de dioxyde de silicium et on l'amincit par oxydation. L'oxydation du film de nitrure de silicium (16) utilise une partie du nitrure de silicium par le biais d'une réaction qui engendre une couche de dioxyde de silicium (18). On enlève cette couche (18) à l'aide d'une dilution d'acide hydrofluorique. On amincit à nouveau la couche de nitrure de silicium (16) par ré-oxydation, tandis qu'on forme une couche supérieure de dioxyde de silicium (20) sur la couche de nitrure de silicium (16) constituant le composé empilé ONO (40). On forme par dépôt une seconde couche de polysilicium (54) sur ledit composé empilé ONO (40), ce qui permet de former un diélectrique interpoly (70).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)