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1. (WO2002080230) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA DE MATERIAUX DIELECTRIQUES A FAIBLE K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080230    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/006648
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 21.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.09.2002    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
LI, Si, Yi [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Helen, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
SADJADI, S., M., Reza [US/US]; (US) (US Seulement).
TIETZ, James, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
HELMER, Bryan, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Si, Yi; (US).
ZHU, Helen, H.; (US).
SADJADI, S., M., Reza; (US).
TIETZ, James, V.; (US).
HELMER, Bryan, A.; (US)
Mandataire : PETERSON, James, W.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, LLP, P.O. BOX 1404, Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Données relatives à la priorité :
09/820,695 30.03.2001 US
Titre (EN) METHOD OF PLASMA ETCHING LOW-K ORGANOSILICATE MATERIALS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA DE MATERIAUX DIELECTRIQUES A FAIBLE K
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor manufacturing process wherein organosilicate glass is plasma etched with selectivity to an overlying and/or underlying dielectric layer. The oxygen-free etchant gas includes a fluorocarbon reactant, a nitrogen reactant and an optional carrier gas, the fluorocarbon reactant and nitrogen reactant being supplied to the chamber at flow rates such that the fluorocarbon reactant flow rate is less than the nitrogen reactant flow rate. The etch rate of the organosilicate glass can be at least 5 times higher than that of the dielectric layer. The process is useful for etching 0.25 micron and smaller contact or via openings in forming structures such as damascene structures.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteur consistant à graver au plasma du verre d'organosilicate de manière sélective par rapport à une couche diélectrique supérieure et/ou sous-jacente. Le gaz de gravure sans oxygène comprend un réactif de fluorocarbone, un réactif d'azote et un gaz transporteur optionnel, le réactif de fluorocarbone et le réactif d'azote étant injectés dans la chambre selon certains débits d'écoulement, le débit d'écoulement du réactif de fluorocarbone étant inférieur au débit d'écoulement du réactif d'azote. Le taux de gravure du verre d'organosilicate peut être au moins 5 fois supérieur à celui de la couche diélectrique. Le procédé est utilisé dans la gravure de 0,25 microns et de plus petit contact ou à travers des ouvertures dans des structures de formation telles que des structures damasquinées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)