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1. (WO2002080228) STRUCTURE CONTENANT DES PELLICULES DE NITRURE DE BORE CUBIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080228    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/004223
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 11.02.2002
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : RAMDANI, Jamal; (US).
HILT, Lyndee, L.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; 3102 North 56th Street, AZ11/56-238, Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/824,376 02.04.2001 US
Titre (EN) STRUCTURE INCLUDING CUBIC BORON NITRIDE FILMS
(FR) STRUCTURE CONTENANT DES PELLICULES DE NITRURE DE BORE CUBIQUE
Abrégé : front page image
(EN)High quality cubic boron nitride layers can be grown overlying monocrystalline substrates (102) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the nitride layer. One way to achieve the formation of a compliant substrate includes first growing an accommodating buffer layer (104) on a silicon wafer (102). The accommodating buffer layer (104) is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer (102) by an amorphous interface layer of silicon oxide (108). The amorphous interface layer (108) dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer (104).
(FR)L'invention concerne des couches de nitrure de bore cubique de haute qualité pouvant être obtenue par-dessus des substrats monocristallins (102), tels que de grandes tranches de silicium, par formation d'un substrat souple pour obtenir la couche de nitrure. Un mode de réalisation permettant de former un substrat souple consiste à former, dans un premier temps, un couche d'accueil (104) sur une tranche de silicium (102). La couche tampon d'accueil (104) est une couche d'oxyde monocristallin séparée de la tranche de silicium (102) par une couche d'interface amorphe d'oxyde de silicium (108). La couche d'interface amorphe (108) disperse la contrainte et permet l'obtention d'une couche tampon d'accueil (104) d'oxyde monocristallin de haute qualité (104).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)