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1. (WO2002080214) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT PLASMA AVEC REGULATION DE LA PUISSANCE D'EXCITATION DU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080214    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009562
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 29.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.10.2002    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6516 (US) (Tous Sauf US).
NI, Tuqiang [CN/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Frank [CN/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Chung-Ho [US/US]; (US) (US Seulement).
JIANG, Weinan [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NI, Tuqiang; (US).
LIN, Frank; (US).
HUANG, Chung-Ho; (US).
JIANG, Weinan; (US)
Mandataire : LOWE, Allan, M.; Lowe Hauptman Gilman & Berner, LLP, Suite 310, 1700 Diagonal Road, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
09/821,753 30.03.2001 US
Titre (EN) PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS WITH CONTROL OF PLASMA EXCITATION POWER
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT PLASMA AVEC REGULATION DE LA PUISSANCE D'EXCITATION DU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)The amount of RF power supplied to a plasma in a vacuum plasma processing chamber is gradually changed on a preprogrammed basis in response to signals stored in a computer memory. The computer memory stores signals so that other processing chamber parameters (pressure, gas species and gas flow rates) remain constant while the gradual change occurs. The stored signals enable rounded corners, instead of sharp edges, to be etched, e.g., at an intersection of a trench wall and base.
(FR)Selon l'invention, la quantité de puissance RF fournie à un plasma dans une chambre de traitement plasma sous vide est modifiée graduellement sur une base préprogrammée en réponse à des signaux stockés dans une mémoire d'ordinateur. Cette mémoire stocke des signaux de sorte que d'autres paramètres de la chambre de traitement (pression, type de gaz et débit de gaz) restent constants pendant la modification graduelle. Les signaux stockés permettent d'obtenir la gravure de coins arrondis au lieu d'angles vifs, par exemple à une intersection d'une base et d'une paroi de tranchée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)