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1. (WO2002080182) PROCEDE, APPAREIL ET SYSTEME POUR AMELIORER LA COMMUTATION DE TENSION NEGATIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080182    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008751
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 21.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.10.2002    
CIB :
G11C 16/08 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01), G11C 16/16 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : TEDROW, Kerry; (US).
SUNDARAM, Rajesh; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman, 7th Floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/823,463 30.03.2001 US
Titre (EN) METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM TO ENHANCE NEGATIVE VOLTAGE SWITCHING
(FR) PROCEDE, APPAREIL ET SYSTEME POUR AMELIORER LA COMMUTATION DE TENSION NEGATIVE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is in the field of flash memory. More particularly, embodiments of the present invention may provide a negative voltage for erasing when coupled to a memory cell to be erased and provide voltages to read or program when not coupled to a memory cell that is selected to be erased. Embodiments may also provide a high magnitude negative voltage to erase; a low impedance, low voltage current to read or program; and burn little to no current when not couplet to a memory cell that is selected to be erased.
(FR)La présente invention relève du domaine de la mémoire flash. Plus particulièrement, les modes de réalisation de la présente invention peuvent concerner une tension négative permettant d'effacer, lorsqu'elle est couplée à une cellule de mémoire à effacer et concerner des tensions permettant de lire, ou de programmer lorsqu'elles ne sont pas couplées à une cellule de mémoire qui est sélectionnée pour être effacée. Des modes de réalisation peuvent également concerner une tension négative d'amplitude élevée permettant d'effacer ; une faible impédance, un courant de faible tension permettant de lire ou de programmer; et de consommer peu à pas de courant lorsqu'elle n'est pas couplée à une cellule de mémoire qui est sélectionnée pour être effacée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)