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1. (WO2002080181) SYSTEME ET METHODOLOGIE DE PARTITIONNEMENT DES E/S POUR REDUIRE LES COURANTS A EFFET TUNNEL BANDE A BANDE PENDANT L'EFFACEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080181    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/043543
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 14.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.10.2002    
CIB :
G11C 16/16 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211 (JP)
Inventeurs : BAUTISTA, Edward, V., Jr.; (US).
KURIHARA, Kazuhiro; (US).
PAN, Feng; (US).
LEE, Weng, Fook; (US).
SUNKAVALLI, Ravi; (US).
HAMILTON, Darlene; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
PICKER, Madeline, M.; Brookes Batchellor, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
09/822,995 30.03.2001 US
Titre (EN) I/O PARTITIONING SYSTEM AND METHODOLOGY TO REDUCE BAND-TO-BAND TUNNELING CURRENT DURING ERASE
(FR) SYSTEME ET METHODOLOGIE DE PARTITIONNEMENT DES E/S POUR REDUIRE LES COURANTS A EFFET TUNNEL BANDE A BANDE PENDANT L'EFFACEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A system (10a) is provided for reducing band-to-band tunneling current during flash memory erase operations. The system (10a) includes an I/O memory sector (20) divided into (N) subsectors, N being an integer, and a drain pump (40) to generate power for associated erase operations within the N subsectors. An erase sequencing subsystem (60) generates N pulses to enable the erase operations within each of the N subsectors in order to reduce band-to-band tunneling current provided by the drain pump (40).
(FR)L'invention porte sur un système (10a) visant à réduire les courants à effet tunnel bande à bande pendant les opérations d'effacement de mémoire flash. Ce système (10a) comprend un secteur (20) mémoire d'E/S divisé en (N) sous-secteurs, N étant un nombre entier, et une pompe à électrons de drainage (40) de façon à produire l'électricité nécessaire aux opérations d'effacement associées dans la limite des N sous-secteurs. Un sous-système séquenceur d'effacement (60) génère N impulsions pour actionner les opérations d'effacement dans chacun des N sous-secteurs, ce qui permet de réduire les courants à effet tunnel bande à bande générés par la pompe à électrons de drainage (40).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)