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1. (WO2002080178) SYSTEME ET PROCEDE POUR LA COMMUTATION RAPIDE DE TENSIONS ANALOGIQUES SUR UNE CHARGE CAPACITIVE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/080178    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010007
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 29.03.2002
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 8/08 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 140 Caspian Court Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventeurs : GONGWER, Geoffrey, S.; (US).
KHALID, Shahzad; (US)
Mandataire : CLEVELAND, Michael, G.; Skjerven Morrill Macpherson LLP Three Embarcadero Center, 28th Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
09/825,615 02.04.2001 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR ACHIEVING FAST SWITCHING OF ANALOG VOLTAGES ON A LARGE CAPACITIVE LOAD
(FR) SYSTEME ET PROCEDE POUR LA COMMUTATION RAPIDE DE TENSIONS ANALOGIQUES SUR UNE CHARGE CAPACITIVE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)Driver (100) and method are provided for driving capacitive load (120) that achieve an improved response time without increasing power consumption of the driver. Driver (100) has load buffer (105) with an input (110) for receiving an input voltage (VIN), and an output (115) for coupling an output voltage (V¿OUT?) to load (120). V¿OUT? is driven between a first voltage level (V¿1?) and a second voltage level (V¿2?) in response to changes in V¿IN?. Driver (100) also has reserve circuit (125) with capacitor (130), reserve buffer (135), switch (140) for coupling the capacitor to capacitive load (120) and controller (145) for operating the switch. Reserve buffer (135) has an input (150) for receiving an input voltage (V¿RES_IN?), and an output (155) for coupling an output voltage (V¿RES_OUT?) to capacitor (130) to charge the capacitor. Controller (145) is configured to operate switch (140) to couple capacitor (130) to capacitive load (120) when V¿OUT? is being driven between V¿1? and V¿2?.
(FR)L'invention concerne un circuit d'attaque (100) et un procédé pour l'attaque d'une charge capacitive (120), permettant d'établir un temps de réponse amélioré sans augmentation de la consommation d'énergie du circuit. Ce circuit d'attaque (100) est équipé d'une mémoire tampon de charge (105) avec une entrée (110) pour la réception d'une tension d'entrée (V¿IN?), et une sortie (115) pour le couplage d'une tension de sortie (V¿OUT?) avec la charge (120). On attaque V¿OUT? entre un premier niveau de tension (V¿1?) et un second niveau de tension (V¿2?), en fonction des variations de V¿IN?. Le circuit d'attaque (100) comporte en outre un circuit de réserve (125) à condensateur (130), mémoire tampon de réserve (135), commutateur (140) pour le couplage du condensateur avec la charge capacitive (120), et unité de commande (145) régulant le fonctionnement du commutateur. Le tampon de réserve (135) comporte une entrée (150) pour la réception d'une tension d'entrée (V¿RES IN?), et une sortie (155) pour le couplage d'une tension de sortie (V¿RES OUT?) avec le condensateur (130), aux fins de charge. L'unité de commande (145) est en mesure d'activer le commutateur (140) pour le couplage du condensateur (130) avec la charge capacitive (120) lorsqu'on attaque V¿OUT? entre V¿1? et V¿2?.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)