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1. (WO2002079891) CURRENT LIMITING TECHNIQUE FOR A VOLTAGE CONVERTER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/079891    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/006195
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 28.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.10.2002    
CIB :
H02M 1/00 (2007.01), H02M 3/156 (2006.01), H02M 3/158 (2006.01)
Déposants : CHAMPION MICROELECTRONIC, CORP. [US/US]; 4020 Moorpark Avenue, Suite 105, San Jose, CA 95117 (US) (Tous Sauf US).
HWANG, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HWANG, Jeffrey; (US)
Mandataire : WESTBERG, Derek, J.; Law Offices of Derek J. Westberg, 2 N. Second Street, Suite 1390, San Jose, CA 95113 (US)
Données relatives à la priorité :
09/823,836 30.03.2001 US
Titre (EN) CURRENT LIMITING TECHNIQUE FOR A VOLTAGE CONVERTER
(FR) CURRENT LIMITING TECHNIQUE FOR A VOLTAGE CONVERTER
Abrégé : front page image
(EN)A current limiting technique for a voltage converter (Figure 2). Parasitic resistance of an inductor (L2) in an input path to the converter is used to determine the level of current input to the converter. If the measured current level is excessive, then switching in the converter may be interrupted until the current falls to an acceptable level. Because parasitic resistance is used to detect the input current, rather than a dedicated sensing resistor, fewer components are required. Thus, implementation of the converter and its associated control circuitry is simplified. A modulated input current passes through an inductor of a voltage converter. An input voltage (Vin2) at a first terminal of the inductor is filtered and compared to an output voltage (Vout2) formed at a second terminal of the inductor. The difference in these values is indicative of a voltage across the parasitic resistor and, thus, is indicative of the input current.
(FR)L'invention concerne une technique de limitation de courant pour convertisseur de tension (Figure 2). La résistance parasite d'une bobine d'inductance (L2) dans une voie d'entrée au convertisseur est utilisée pour déterminer le niveau de courant dans le convertisseur. Si le niveau de courant mesuré est excessif, la commutation peut alors être interrompue dans le convertisseur jusqu'à ce que le courant baisse jusqu'à un niveau acceptable. L'utilisation de la résistance parasite pour détecter le courant d'entrée plutôt qu'une résistance de détection spécifique limite le nombre de composants nécessaires. Ainsi, la mise en oeuvre du convertisseur et de son circuit de commande associé est simplifiée. Un courant d'entrée modulé passe par une bobine d'inductance d'un convertisseur de tension. Une tension d'entrée (Vin2) au niveau d'une première borne de la bobine d'inductance est filtrée et comparée à une tension de sortie (Vout2) formée au niveau d'une seconde borne de la bobine d'inductance. La différence de ces valeurs indique la tension dans la bobine d'inductance parasite et indique, par conséquent, le courant d'entrée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)